[發明專利]一種高速低功耗自關斷位線靈敏放大器

無效

• 申請號: 201210035924.6
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN102592650A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 陳軍寧;柏娜;吳秀龍;譚守標;李正平;孟堅;徐太龍;藺智挺;余群齡
• 申請（專利權）人: 安徽大學
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C7/08
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 奚幼堅

1.一種高速低功耗自關斷位線靈敏放大器，其特征在于，包括預充電模塊、平衡電路模塊、使能電路模塊、交叉耦合反相器模塊、輸入電路模塊以及自關斷位線模塊，其中：

預充電模塊包括NMOS管N1及NMOS管N2，NMOS管N1與NMOS管N2的柵極互聯并連接外部給定的預充信號PRE，?NMOS管N1及NMOS管N2的源極和襯底都接地GND；?

平衡電路模塊包括NMOS管N3，NMOS管?N3的柵極與NMOS管?N1的柵極以及NMOS?N2的柵極連接在一起，NMOS管N3的漏極與NMOS管?N1的漏極連接、NMOS?管N3的源極與NMOS管?N2的漏極連接，NMOS?管N3的襯底接地GND；

使能電路模塊，包括PMOS管P1，PMOS管P1的柵極連接外部給定的使能信號SANE，PMOS管P1的源極和襯底均與VDD相連；

交叉耦合反相器模塊包括PMOS管P2、PMOS管P3、NMOS管N4、NMOS管N5，PMOS管P2及PMOS管P3的襯底均連接VDD，PMOS管P2及PMOS管P3的源極連接在一起并與PMOS管P1的漏極連接，PMOS管P2及PMOS管P3的柵極分別與NMOS管N4及?NMOS管N5的柵極連接，PMOS管P2及PMOS管P3的漏極分別與NMOS管N4及NMOS管N5的漏極連接，PMOS管P2的漏極、NMOS管N4的漏極與PMOS管P3的柵極及NMOS管N5的柵極連接在一起，PMOS管P2的柵極、NMOS管N4的柵極與PMOS管P3的漏極及NMOS管N5的漏極連接在一起，NMOS管N4及NMOS管N5的襯底和源極均接地GND；

輸入電路模塊包括NMOS管N6、NMOS管N7，NMOS管N6及NMOS管N7的襯底和源極均接地，NMOS管N6的漏極與NMOS管N1的漏極、NMOS管N3的漏極、PMOS管P2的漏極以及NMOS管N4的漏極連接在一起，NMOS管N7的漏極與NMOS管N2的漏極、PMOS管P3的漏極以及NMOS管N5的漏極連接在一起；

自關斷位線模塊包括PMOS管P4、PMOS管P5、NMOS管N8及NMOS管N9，PMOS管P4的柵極與NMOS管N8的柵極互連并與NMOS管N1的漏極、NMOS管N3的漏極、NMOS管N6的漏極、PMOS管P2的漏極以及NMOS管N4的漏極連接在一起連接，PMOS管P4的襯底連接VDD，PMOS管P4的源極與外部給定位線BL連接，PMOS管P4的漏極與NMOS管?N8的漏極以及NMOS管N6的柵極連接在一起，NMOS管N8的襯底和源極均接地GND，PMOS管P5的柵極與NMOS管N9的柵極互連并與NMOS管N2的漏極、NMOS管N3的源極、NMOS管N7的漏極、PMOS管P3的漏極以及NMOS管N5的漏極連接在一起，PMOS管P5的襯底連接VDD，PMOS管P5的源極與外部給定的另一位線BLB連接，PMOS管P5的漏極與NMOS管N9的漏極以及NMOS管N7的柵極連接在一起，NMOS管N9的襯底和源極均接地GND。