[發明專利]固態成像裝置有效
| 申請號: | 201210035863.3 | 申請日: | 2012-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN102646690B | 公開(公告)日: | 2017-05-03 |
| 發明(設計)人: | 巖渕壽章;清水正彥;小林寬隆 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 吳艷 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 裝置 | ||
1.一種固態成像裝置,包括:
光電地轉換通過透鏡取入的光的固態成像器件;
遮蔽從所述透鏡向所述固態成像器件入射的光的一部分的遮光構件;和
通過粘結構件與基板粘結的密封構件,
其中所述遮光構件具有開口,所述開口的朝向所述固態成像器件的第一尺寸大于所述開口的朝向所述透鏡的第二尺寸,
其中所述遮光構件的開口的邊緣面相對于所述透鏡的光軸方向成角度,
其中,所述遮光構件設置在所述密封構件的面對所述透鏡的表面或者面對所述固態成像器件的表面上,并且
其中所述遮光構件的邊緣面與所述透鏡的光軸方向之間所成的角度大于入射在所述遮光構件的邊緣部上的光中入射角度最大的光的入射角度。
2.如權利要求1所述的固態成像裝置,
其中在所述固態成像器件的受光面的周緣部處設置有襯墊,連接至基板的金屬線連接至所述襯墊,并且
其中所述襯墊不配置在由所述固態成像器件的表面與所述遮光構件的邊緣面的假想延長面之間的交點限定出的區域中靠近所述受光面的區域上。
3.如權利要求1所述的固態成像裝置,
其中所述固態成像器件的受光面接收從具有開口的基板的開口入射的光,并且
其中所述開口的邊緣面不與所述遮光構件的邊緣面的假想延長面相交。
4.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中,所述密封構件密封所述固態成像器件的受光面上的空隙。
5.如權利要求4所述的固態成像裝置,其中,所述密封構件的側面不與所述遮光構件的邊緣面的假想延長面相交。
6.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中,所述遮光構件通過在配置于光路上的光學濾光器上印刷一次或者多次印刷用材料而形成。
7.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中,在所述遮光構件的邊緣面和所述光軸之間形成的角度為50度。
8.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中,所述遮光構件被著色為黑色。
9.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中,所述遮光構件具有UV可固化性或者加熱可固化性。
10.如權利要求9所述的固態成像裝置,其中,所述遮光構件由選自由:碳填料;以染料著色為黑色的環氧樹脂或者丙烯酸類樹脂;環氧/丙烯酸混合型樹脂構成組的材料制成。
11.如權利要求1所述的固態成像裝置,還包括:
布置在所述透鏡和固態成像器件之間的光路上的光學構件;
其中所述遮光構件接合至所述光學構件的朝向所述固態成像器件的表面。
12.如權利要求11所述的固態成像裝置,其中,所述光學構件是紅外線截止濾光器。
13.如權利要求11所述的固態成像裝置,還包括:
布置在所述固態成像器件的除了受光面之外的周緣部的接合襯墊,
其中所述固態成像裝置構造為滿足以下表達式:
θM>arctan[tanθU+{(D-2σ)/G}]
其中θM為所述遮光構件的邊緣面與所述光軸之間所成的角度,θU是上光線的入射角,D是所述受光面的邊緣部與接合襯墊之間的距離,σ是相對于所述遮光構件的設計上的位置的偏移,G是所述光學構件和所述固態成像器件之間的空隙長度。
14.如權利要求13所述的固態成像裝置,其中,所述密封構件由透光的透明材料制成。
15.如權利要求14所述的固態成像裝置,其中,所述密封構件由玻璃制成。
16.如權利要求14所述的固態成像裝置,其中,所述密封構件由玻璃和樹脂制成。
17.一種固態成像裝置,包括:
光電地轉換通過透鏡取入的光的固態成像器件;和
遮蔽從所述透鏡向所述固態成像器件入射的光的一部分的遮光構件,
其中所述遮光構件具有開口,
其中所述遮光構件的一部分在所述固態成像器件的方向上折疊成一角度,
其中所述遮光構件的所述部分從所述遮光構件的開口的邊緣延伸給定的距離,并且
其中,所述遮光構件的邊緣面與所述透鏡的光軸方向之間所成的角度大于入射在所述遮光構件的邊緣部上的光中入射角度最大的光的入射角度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





