[發(fā)明專利]蝕刻方法和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210035774.9
• 申請(qǐng)日: 2012-02-16
• 公開（公告）號(hào): CN103000482A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳世宏;陳建安;蕭穎;張郢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種方法，包括：

在等離子體工具中蝕刻氧化物層，所述等離子體工具具有射頻電源，所述射頻電源被配置成產(chǎn)生等離子體腔室的第一直流偏壓；

在所述等離子體工具中去除光刻膠層并且所述射頻電源被配置成產(chǎn)生所述等離子體腔室的第二直流偏壓；以及

在所述等離子體工具中蝕刻穿過襯膜并且所述射頻電源配置成產(chǎn)生所述等離子體腔室的第三直流偏壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

配置所述等離子體腔室的所述第一直流偏壓和所述等離子體腔室的所述第三直流偏壓，使得所述等離子體腔室的所述第三直流偏壓小于所述等離子體腔室的所述第一直流偏壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

配置所述等離子體腔室的所述第二直流偏壓和所述等離子體腔室的所述第三直流偏壓，使得所述等離子體腔室的所述第三直流偏壓小于所述等離子體腔室的所述第二直流偏壓。

4.一種裝置，包括：

氣體進(jìn)口，連接至等離子體腔室；

所述等離子體腔室包括：

卡盤，被配置成是第一電極；以及

壁，被配置成是第二電極；

出口，連接至所述等離子體腔室；以及

射頻電源，連接至所述等離子體腔室，其中，所述射頻電源被配置成：

產(chǎn)生用于氧化物層蝕刻工藝的所述等離子體腔室的第一直流偏壓；

產(chǎn)生用于光刻膠層去除工藝的所述等離子體腔室的第二直流偏壓；以及

產(chǎn)生用于襯膜蝕刻工藝的所述等離子體腔室的第三直流偏壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述射頻電源包括：

高頻射頻電源；以及，

低頻射頻電源，被配置成：

產(chǎn)生用于所述氧化物層蝕刻工藝的所述等離子體腔室的所述第一直流偏壓；

產(chǎn)生用于所述光刻膠層去除工藝的所述等離子體腔室的所述第二直流偏壓；以及

產(chǎn)生用于所述襯膜蝕刻工藝的所述等離子體腔室的所述第三直流偏壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，對(duì)所述第一直流偏壓、所述第二直流偏壓和所述第三直流偏壓進(jìn)行配置使得：

所述等離子體腔室的所述第三直流偏壓小于所述等離子體腔室的所述第一直流偏壓；以及

所述等離子體腔室的所述第三直流偏壓小于所述等離子體腔室的所述第二直流偏壓。

7.一種方法，包括：

形成銅層；

在所述銅層上形成襯膜；

在所述襯膜上形成氧化物層；

在所述氧化物層上形成光刻膠層；

采用在等離子體腔室中通過第一等離子體直流偏壓進(jìn)行的第一等離子體蝕刻工藝去除所述氧化物層；

采用在所述等離子體腔室中通過第二等離子體直流偏壓進(jìn)行的等離子體灰化工藝去除所述光刻膠層；以及

采用在所述等離子體腔室中通過第三等離子體直流偏壓進(jìn)行的第二等離子體蝕刻工藝蝕刻穿過所述襯膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：

配置所述第一等離子體直流偏壓和所述第三等離子體直流偏壓，使得所述第一等離子體直流偏壓大于所述第三等離子體直流偏壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：

配置所述第二等離子體直流偏壓和所述第三等離子體直流偏壓，使得所述第二等離子體直流偏壓大于所述第三等離子體直流偏壓。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：

使所述第三等離子體直流偏壓與所述第一等離子體直流偏壓相比降低80％。