[發明專利]水浴槽及使用此水浴槽之薄膜沉積裝置無效
| 申請號: | 201210035503.3 | 申請日: | 2012-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN103255391A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發明(設計)人: | 胡富順;朱之杰;劉恒 | 申請(專利權)人: | 綠種子材料科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/448 | 分類號: | C23C16/448 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產權代理有限公司 31264 | 代理人: | 楊波 |
| 地址: | 孟帕里斯&卡爾德,P.O.Box*** | 國省代碼: | 開曼群島;KY |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 水浴 使用 薄膜 沉積 裝置 | ||
1.一種水浴槽,包括:
至少一槽體,裝有第一液體;
補充槽,裝有第二液體;以及
輸送模塊,連接該補充槽與該至少一槽體,當該槽體中的該第一液體的液面低于或等于第一位置時,該輸送模塊適于將該第二液體輸送至該槽體內直至該第一液體的液面高于或等于該第一位置時,該輸送模塊停止將該第二液體輸送至該槽體內。
2.根據權利要求1所述的水浴槽,其特征在于:該輸送模塊包括管路單元,該管路單元包括入液口及至少出液口,該入液口連接于該補充槽,該至少一出液口對應連接于該至少一槽體,連接于該槽體的該出液口設置在該槽體的該第一位置。
3.根據權利要求2所述的水浴槽,其特征在于:該補充槽內的該第二液體的液面高度大于該至少一槽體內的該第一液體的液面高度。
4.根據權利要求2所述的水浴槽,其特征在于:該補充槽的底部的高度大于該至少一槽體內的該第一液體的液面高度。
5.根據權利要求2所述的水浴槽,其特征在于:該補充槽為密閉槽。
6.根據權利要求1所述的水浴槽,其特征在于:該第一液體與該第二液體的成分相同。
7.根據權利要求1所述的水浴槽,其特征在于:該輸送模塊包括:
管路單元,該管路單元包括入液口及至少一出液口,該入液口連接于該補充槽,該至少一出液口對應連接于該至少一槽體;
至少一水位量測機構,對應于該至少一槽體并偵測對應的該槽體內的該第一液體的液面高度;以及
至少一輸送單元,配置于該管路單元內的液體傳輸路徑中,當該水位量測機構偵測到對應的該槽體內的該第一液體的液面高度低于該第一位置時,該水位量測機構觸發該輸送單元將該補充槽內的該第二液體輸送至該槽體,當該水位量測機構偵測到對應的該槽體內的該第一液體的液面高度高于或等于第二位置時,該水位量測機構停止該輸送單元輸送該第二液體。
8.根據權利要求7所述的水浴槽,其特征在于:該水位量測機構包括水位量測管以及傳感器,該水位量測管連通于對應的該槽體,該傳感器配置于該水位量測管旁并電性連接至該對應的該至少一輸送單元,當該傳感器偵測到該水位量測管內的該第一液體的液面高度低于該第一位置時,該傳感器向對應的該輸送單元傳送第一信號以觸發對應的該輸送單元輸送該第二液體,當該傳感器偵測到對應的該水位量測管內的該第一液體的液面高度高于或等于該第二位置時,該傳感器向對應的該輸送單元傳送第二信號以使對應的該輸送單元停止輸送該第二液體。
9.根據權利要求7所述的水浴槽,其特征在于:該水位量測機構包括浮球,與對應的該輸送單元連動,當該浮球下降至該第一位置時,觸發對應的該輸送單元輸送該第二液體,當該浮球上升至該第二位置時,停止對應的該輸送單元輸送該第二液體。
10.根據權利要求7所述的水浴槽,其特征在于:該第二位置高于或等于該第一位置。
11.根據權利要求7所述的水浴槽,其特征在于:該輸送單元包括馬達、泵或電磁閥。
12.一種薄膜沉積裝置,包括:
瓶體,裝有反應源;
反應腔;
連通管路,連通該瓶體與該反應腔,以將該反應源輸送至該反應腔;以及
水浴槽,該瓶體浸于該水浴槽中,該水浴槽包括:
至少一槽體,裝有第一液體;
補充槽,裝有第二液體,該第一液體與該第二液體的成分相同;以及
輸送模塊,連接該補充槽與該槽體,當該槽體中的該第一液體的液面低于或等于第一位置時,該輸送模塊適于將該第二液體輸送至該至少一槽體內直至該第一液體的液面高于或等于該第一位置,該輸送模塊停止將該第二液體輸送至該槽體內。
13.根據權利要求12所述的薄膜沉積裝置,其特征在于:該反應源為有機金屬反應源。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于綠種子材料科技股份有限公司,未經綠種子材料科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210035503.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:口罩PH貼
- 下一篇:一種周期性掃查超聲波探傷數據快速封裝及分析的方法
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





