[發明專利]供給無噪聲電壓的裝置及其操作方法

無效

• 申請號: 201210035484.4
• 申請日: 2007-01-29
• 公開（公告）號: CN102610262A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 慎允宰;崔俊基
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李春暉;李德山

本申請是申請日為2007年1月29日、申請號為200710003212.5、發明名稱為“供給無噪聲電壓的裝置及其操作方法”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種電壓供給裝置與方法，更具體而言，涉及一種用于供給電壓至半導體存儲器裝置的操作電路的電壓供給裝置和方法。

背景技術

一般而言，隨著半導體存儲器的高度集成，存儲器電路的每個元件也變小。用于具有半導體存儲器的系統中的CPU(中央處理單元)被設計成工作在高頻率。因此，半導體存儲器也被設計成工作在高頻率。

為了設計工作在高頻率的存儲器，半導體存儲器的電源電壓需要處于低電平。然而，隨著電源電壓的降低，噪聲會造成關鍵的問題。

目前，在半導體存儲器裝置中，使用了處于相同電平的從外部施加的多個電源電壓。此外，還使用了由電源電壓在芯片中所產生的多個電壓并且其焊盤是分開的。

圖1是示出常規的電壓供給裝置的電路圖。

常規的電壓供給裝置包括：第一反向器IV1、第二反向器IV2、PMOS晶體管P1、以及NMOS晶體管N1。

第一反向器IV1接收電壓供給使能信號EN_SIG，將所接收的電壓供給使能信號EN_SIG反向，并輸出反向的電壓供給使能信號作為輸出信號EN_SIGb。

第二反向器IV2將第一反向器IV1的輸出信號EN_SIGb反向并輸出反向的輸出信號作為輸出信號EN_SIG。

PMOS晶體管P1具有：柵極端子，其接收第一反向器IV1的輸出信號EN_SIGb；源極端子，向其施加了電源電壓VDDA或VDDB；以及漏極端子，其連接至操作電路10。

NMOS晶體管N1具有：柵極端子，其接收第二反向器IV2的輸出信號EN_SIG；源極端子，向其施加了接地電壓VSSA或VSSB；以及漏極端子，其連接至操作電路10。

操作電路10是一種普通的電路，其接收電源電壓VDDA或VDDB或者接地電壓VSSA或VSSB并輸出輸出信號OUTPUT_ORG。

這里，操作電路10接收第一電源電壓VDDA與第一接地電壓VSSA或接收第二電源電壓VDDB與第二接地電壓VSSB。

如圖1所示，常規的電壓供給裝置如此地設計，使得響應啟動電壓供給裝置的電壓供給使能信號EN_SIG只供給固定的電源電壓。

然而，即使當應用于存儲器的各個電源具有不同的噪聲量時，也沒有電路可以感測施加至存儲器的電壓的噪聲量。即，即使當在第一電源電壓VDDA和第一接地電壓VSSA中產生的噪聲量大于在第二電源電壓VDDB與第二接地電壓VSSB中產生的噪聲量時，仍使用第一電源電壓VDDA和第一接地電壓VSSA。

如上所述，由于常規的電壓供給裝置無法感測電源噪聲，可能會有下列問題：半導體存儲器會由于噪聲而錯誤地運作，從而降低該半導體存儲器的性能。

發明內容

本發明的實施例提供一種無噪聲地供給電壓的裝置及操作方法。其感測了應用于半導體存儲器裝置的內部電路的電源中的噪聲量并使用具有較少噪聲的電源。結果，半導體存儲器裝置的內部電路可以穩定地工作。

根據本發明的第一實施例，電壓供給裝置可包括：電源噪聲感測單元、電壓選擇單元、第一電源電壓供給單元、以及第二電源電壓供給單元。

電源噪聲感測單元可感測來自第一與第二電源的噪聲并輸出電源噪聲感測信號。

電壓選擇單元可響應電壓供給使能信號與電源噪聲感測信號而輸出第一與第二驅動信號。

第一電源電壓供給單元可響應第一與第二驅動信號而供給第一電源的電壓。

第二電源電壓供給單元可響應第一與第二驅動信號而供給第二電源的電壓。

電壓供給裝置可進一步包括操作電路。

操作電路可接收第一電源或第二電源的電壓、執行預定操作、以及輸出輸出信號。

根據本發明的第二實施例，電壓供給裝置可包括：電源噪聲感測單元與電源電壓供給單元。

電源噪聲感測單元可感測第一電源與第二電源的噪聲并輸出電源噪聲感測信號。

電源電壓供給單元可響應電源噪聲感測信號而選擇性地供給第一電源或第二電源的電壓。

根據本發明的第二實施例，電壓供給裝置可進一步包括操作電路。

操作電路可接收第一電源或第二電源的電壓、執行預定操作、以及輸出輸出信號。