[發(fā)明專利]襯底保持器、光刻設(shè)備、器件制造方法和制造襯底保持器的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210035459.6
• 申請(qǐng)日: 2012-02-16
• 公開（公告）號(hào): CN102645848A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·W·L·拉法瑞;N·坦凱特;N·V·德茲歐姆提那;Y·P·科瑞德;S·A·特蘭普;J·J·雷森;E·C·羅登伯格;M·W·L·H·菲特斯;H·于斯曼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

1.一種用于光刻設(shè)備中的襯底保持器，所述襯底保持器包括：

主體，所述主體具有表面；

多個(gè)突節(jié)，所述突節(jié)從所述表面突出且具有支撐襯底的端面；

平坦化層，所述平坦化層設(shè)置在所述主體的表面的至少一部分上；和

薄膜疊層，所述薄膜疊層設(shè)置在所述平坦化層上且形成電子部件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底保持器，其中所述薄膜疊層包括導(dǎo)電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底保持器，其中所述導(dǎo)電層由金屬形成，由諸如從由Cr、Al、Pt以及它們的合金構(gòu)成的組中選擇的金屬形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的襯底保持器，其中所述導(dǎo)電層的厚度在從約20nm至約1μm的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的襯底保持器，其中所述薄膜疊層包括設(shè)置在距離所述平坦化層最遠(yuǎn)的導(dǎo)電層的表面上的隔離層。

6.一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括：

支撐結(jié)構(gòu)，配置成支撐圖案形成裝置；

投影系統(tǒng)，布置成將通過(guò)所述圖案形成裝置形成圖案的束投影到襯底上；和

襯底保持器，布置成保持所述襯底，所述襯底保持器是根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的襯底保持器。

7.一種使用光刻設(shè)備的器件制造方法，所述方法包括以下步驟：

在將所述襯底保持在襯底保持器中時(shí)將通過(guò)圖案形成裝置形成圖案的束投影到襯底上，

其中所述襯底保持器包括：主體，所述主體具有表面；多個(gè)突節(jié)，所述突節(jié)從所述表面突出且具有用于支撐襯底的端面；平坦化層，所述平坦化層設(shè)置在所述主體的表面的至少一部分上；和薄膜疊層，所述薄膜疊層設(shè)置在所述平坦化層上且形成電子部件。

8.一種用于光刻設(shè)備的襯底保持器，所述襯底保持器包括：

主體，所述主體具有表面；

多個(gè)突節(jié)，所述突節(jié)從所述表面突出且具有用于支撐襯底的端面；

平坦化層，所述平坦化層設(shè)置在所述主體的表面的至少一部分上，所述平坦化層包括第一子層和第二子層，所述第二子層具有不同于所述第一子層的成分。

9.一種制造用于光刻設(shè)備中的襯底保持器的方法，所述方法包括以下步驟：

設(shè)置主體和多個(gè)突節(jié)，所述主體具有表面，所述突節(jié)從所述表面突出且具有用于支撐襯底的端面；和

在所述主體的表面的至少一部分上形成平坦化層，

其中形成所述平坦化層的步驟包括形成第一子層和在所述第一子層上形成第二子層的步驟，所述第二子層具有不同于第一子層的成分。

10.一種制造用于光刻設(shè)備中的襯底保持器的方法，所述方法包括以下步驟：

設(shè)置主體和多個(gè)突節(jié)，所述主體具有表面，所述突節(jié)從所述表面突出且具有用于支撐襯底的端面；和

在所述主體的表面的至少一部分上形成平坦化層，

其中形成平坦化層的步驟包括形成第一子層、焙烤所述第一子層以將其固化，和在所述第一子層上形成第二子層。