[發明專利]一種凸面閃耀光柵制作方法

無效

• 申請號: 201210035381.8
• 申請日: 2012-02-16
• 公開（公告）號: CN102540302A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 劉全;吳建宏;陳明輝
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G03F7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種凸面閃耀光柵的制作方法，該方法在一球冠狀凸面基片上制作凸面閃耀光柵，其特征在于：所述制作方法包括下列步驟：

1)在基片上涂布光刻膠；

2)對所述光刻膠層進行干涉光刻，形成光刻膠光柵；

3)以所述光刻膠光柵為掩模，對基片進行正向離子束刻蝕，將光刻膠光柵圖形轉移到基片上，形成同質光柵；

4)清洗基片，去除剩余光刻膠；

5)以同質光柵為掩模，對基片進行球面轉動斜向Ar離子束掃描刻蝕，利用同質光柵掩模對離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成三角形的閃耀光柵槽形；

6)清洗基片，得到凸面閃耀光柵。

2.如權利要求1所述的凸面閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述步驟5)中的球面轉動斜向Ar離子束掃描刻蝕包括步驟：

5.1)將基片固定于旋轉機架上，該旋轉機架以所述基片的球冠狀凸面所在球心為轉動中心，以該基片的球冠狀凸面所在球徑為轉動半徑，攜帶基片進行旋轉；

5.2)采用球形掩模遮蓋基片表面，所述球形掩模與基片表面同心，在該球形掩模表面設有開口，所述基片暴露于所述開口的區域為刻蝕區域；

5.3)以Ar離子束對上述開口部分的基片進行斜向離子束刻蝕

3.如權利要求2所述的凸面閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述開口為沿光柵柵線方向的條狀細縫。

4.如權利要求1所述的凸面閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述步驟1)中涂布的光刻膠厚度為200nm至900nm。

5.如權利要求1所述的凸面閃耀光柵制作方法，其特征在于：在所述步驟2)之后還包括對光刻膠光柵結構進行灰化處理，以調節光刻膠光柵的占寬比。

6.如權利要求1所述的凸面閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述步驟3)中，正向離子束刻蝕采用Ar離子束刻蝕方法或CHF₃反應離子束刻蝕方法中的一種，其具體的工藝參數為：Ar離子束刻蝕時，離子能量為380eV至520eV，離子束流為70mA至140mA，加速電壓為240V至300V，工作壓強為2.0×10^-2Pa；CHF₃反應離子束刻蝕時，離子能量為300eV至470eV，離子束流為70mA至140mA，加速電壓為200V至300V，工作壓強為1.4×10^-2Pa。

7.如權利要求1所述的凸面閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述同質光柵的占寬比為0.25-0.65，周期為300nm至6500nm。

8.如權利要求1所述的凸面閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述同質光柵為矩形光柵或梯形光柵。

9.如權利要求1所述的凸面閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述同質光柵的槽深使斜向Ar離子束的刻蝕角度等于從該同質光柵的一頂角斜射到與該頂角相對的底角所需的角度。

10.如權利要求1所述的凸面閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述步驟5)中，斜向Ar離子束掃描刻蝕的工藝參數為：離子能量380eV至520eV，離子束流70mA至140mA，加速電壓240V至300V，工作壓強2.0×10^-2Pa，刻蝕角度為5°至40°。