[發(fā)明專利]盤式波導(dǎo)激光器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210035241.0
• 申請日: 2012-02-16
• 公開（公告）號: CN102570253A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡建明;梁一平;馮慶;孔春陽;崔玉亭;曾毅;張玉
• 申請（專利權(quán)）人: 重慶師范大學(xué)
• 主分類號: H01S3/06
• 分類號: H01S3/06;H01S3/063
• 代理公司: 北京海虹嘉誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11129
• 代理人: 謝殿武

1.一種盤式波導(dǎo)激光器，其特征在于：包括泵浦光源系統(tǒng)和增益組件，所述增益組件包括盤形基體、包層和增益介質(zhì)，所述包層對泵浦光全透且位于盤形基體內(nèi)部，盤形基體與包層接觸的表面為向包層內(nèi)部的全反層，所述增益介質(zhì)位于包層內(nèi)形成與盤面平行的螺旋盤繞結(jié)構(gòu)，增益介質(zhì)位于靠近圓心的端部為反射端，遠離圓心的端部設(shè)有伸出盤形基體透射窗口形成諧振腔；

泵浦光源系統(tǒng)包括泵浦光源和耦合透鏡，所述盤形基體外圓沿圓周方向開有弧形狹縫，所述耦合透鏡正對弧形狹縫將泵浦光源的入射光耦合聚焦于環(huán)形狹縫射入至包層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤式波導(dǎo)激光器，其特征在于：所述盤形基體包括上基體和下基體，所述包層包括下包層和上包層，所述上基體與下基體封裝成整體并形成緊密嵌合包層的容腔，所述容腔內(nèi)表面鍍有高反射膜形成全反層；

所述下包層鍍于下基體的上表面的高反射膜上，增益介質(zhì)鍍于下包層上表面并經(jīng)刻蝕形成平行于盤形基體盤面的螺旋盤繞結(jié)構(gòu)，上包層鍍于螺旋盤繞結(jié)構(gòu)上部，與下包層共同形成將螺旋盤繞結(jié)構(gòu)的增益介質(zhì)全面包裹的單包層光纖結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的盤式波導(dǎo)激光器，其特征在于：所述泵浦光源為激光二極管陣列，耦合透鏡至少包括設(shè)有變焦距變折射率的錐狀微柱透鏡，耦合后的泵浦光聚焦于盤形基體上的弧形狹縫，且聚焦后的泵浦光為與弧形狹縫相同的弧形。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的盤式波導(dǎo)激光器，其特征在于：還包括冷卻系統(tǒng)，所述冷卻系統(tǒng)包括冷卻驅(qū)動裝置和設(shè)置于盤形基體上的有水冷通道或者風(fēng)冷通道。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的盤式波導(dǎo)激光器，其特征在于：所述泵浦光源系統(tǒng)為多組沿盤形基體外圓周分布，弧形狹縫與多個與泵浦光源系統(tǒng)一一對應(yīng)沿圓周方向分布于盤形基體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的盤式波導(dǎo)激光器，其特征在于：所述盤形基體、包層和增益介質(zhì)、泵浦光源系統(tǒng)和冷卻系統(tǒng)封裝成一體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的盤式波導(dǎo)激光器，其特征在于：所述弧形狹縫在圓周方向的長度位于微柱透鏡長度方向的投影與微柱透鏡的長度相同，且長于激光二極管的發(fā)光長度。