[發(fā)明專利]晶界絕緣型半導(dǎo)體陶瓷、半導(dǎo)體陶瓷電容器以及半導(dǎo)體陶瓷電容器的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210034635.4
• 申請(qǐng)日: 2012-02-10
• 公開（公告）號(hào): CN102649642A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 立川勉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): C04B35/47
• 分類號(hào): C04B35/47;H01G4/12;H01G4/28
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 胡燁

1.一種晶界絕緣型半導(dǎo)體陶瓷，其以SrTiO₃類化合物為主成分而形成，并且含有包含晶界絕緣化劑和玻璃成分的擴(kuò)散劑，其特征在于，所述晶界絕緣化劑由不含Pb的非Pb類材料形成，并且所述玻璃成分以不含B和Pb的SiO₂-X₂O-MO-TiO₂類玻璃材料為主成分，其中，X表示堿金屬，M表示選自Ba、Sr、Ca的至少一種，并且所述玻璃成分的含量相對(duì)于100重量份所述晶界絕緣化劑為3～15重量份。

2.如權(quán)利要求1所述的晶界絕緣型半導(dǎo)體陶瓷，其特征在于，所述晶界絕緣化劑至少含有Bi和Cu。

3.如權(quán)利要求1或2所述的晶界絕緣型半導(dǎo)體陶瓷，其特征在于，所述晶界絕緣化劑的含量相對(duì)于100重量份所述主成分為0.8～1.5重量份。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的晶界絕緣型半導(dǎo)體陶瓷，其特征在于，所述玻璃成分中的堿金屬X是Li。

5.一種半導(dǎo)體陶瓷電容器，其特征在于，部件主體由權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體陶瓷形成。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體陶瓷電容器，其特征在于，所述部件主體形成為筒形形狀，并且在該部件主體的內(nèi)周面和外周面形成有電極。

7.一種半導(dǎo)體陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，包括：調(diào)合至少含有Sr化合物和Ti化合物的多種陶瓷原料，在還原氣氛下進(jìn)行燒成來(lái)制作燒結(jié)體的工序；稱取規(guī)定量的由不含鉛的非鉛類材料構(gòu)成的晶界絕緣化劑和由不含B和Pb的SiO₂-X₂O-MO-TiO₂類玻璃材料構(gòu)成的玻璃成分的工序，其中，A表示堿金屬，M表示選自Ba、Sr、Ca的至少一種；將所述晶界絕緣化劑和所述玻璃成分與所述燒結(jié)體混合并攪拌，同時(shí)在大氣氣氛下進(jìn)行熱處理來(lái)制作部件主體的工序。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，包括將所述燒結(jié)體制成筒形形狀，并且對(duì)所述部件主體的內(nèi)周面和外周面實(shí)施鍍敷處理以形成電極的工序。

9.如權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，分別稱取所述晶界絕緣化劑和所述玻璃成分，以使所述玻璃成分的含量相對(duì)于100重量份所述晶界絕緣化劑達(dá)到3～15重量份。