[發明專利]低溫制造齊納二極管工藝

有效

• 申請號: 201210034595.3
• 申請日: 2012-02-16
• 公開（公告）號: CN102543724A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 何志;周炳;季安;劉曉萌
• 申請（專利權）人: 張家港意發功率半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 北京中恒高博知識產權代理有限公司 11249
• 代理人: 夏晏平

1.一種低溫制造齊納二極管工藝，其特征在于，包括以下步驟：

在N型重摻雜N+硅晶片的上面生長或沉積一層氧化硅；

通過半導體光刻和刻蝕工藝在上述氧化硅上打開缺口,?并刻蝕出和N+區的厚度一樣的硅槽,清洗該硅槽上的光刻膠；

在上述氧化硅層上面鍍一層鋁薄膜，并在該鋁薄膜上生長一層非晶硅薄膜，其中在上述硅槽中形成鋁薄膜和非晶硅薄膜的復合層；

在低溫條件下退火條件下,?使上述硅槽中的非晶硅薄膜中的Si原子擴散到上述鋁薄膜,?在上述硅槽中的硅片表面上形成鋁摻雜的P+單晶；

清洗去除氧化硅層,殘余的鋁薄膜和非晶硅膜。

2.根據權利要求1所述的低溫制造齊納二極管工藝，其特征在于，所述氧化硅的厚度在10-1000納米之間，其生長工藝采用高溫氧化、或低壓化學氣相沉積、或等離子體增強氣相沉積。

3.根據權利要求1所述的低溫制造齊納二極管工藝，其特征在于，上述非晶硅薄膜的厚度在10-1000納米之間,?鋁薄膜厚度在10-1000納米之間。

4.根據權利要求1所述的低溫制造齊納二極管工藝，其特征在于，上述低溫條件為200?–?500℃。