[發明專利]半導體裝置、用于制造半導體裝置的方法以及電子器件

有效

• 申請號: 201210034475.3
• 申請日: 2012-02-15
• 公開（公告）號: CN102651352A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 谷元昭;岡本圭史郎
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;王春偉

1.一種半導體裝置，包括：

包括第一電極的半導體器件；

包括第二電極和凹部的襯底；和

散熱粘合材料，所述散熱粘合材料將所述半導體器件固定在所述凹部中，以將所述第一電極布置為靠近所述第二電極，

其中所述第一電極耦接到所述第二電極，并且所述散熱粘合材料覆蓋所述半導體器件的側表面的至少一部分和底表面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述半導體器件外周的設置有所述第一電極的第一部分和所述凹部外周的設置有所述第二電極的第二部分以第一距離彼此面對；

所述半導體器件外周的沒有設置所述第一電極的第三部分與所述凹部外周的沒有設置所述第二電極的第四部分以大于所述第一距離的第二距離彼此面對；并且

所述散熱粘合材料覆蓋所述第二部分中所述半導體器件的所述側表面的至少一部分。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述散熱粘合材料包括金屬材料。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述金屬材料的覆蓋所述半導體器件的所述側表面的至少一部分的部分具有凸表面。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述半導體器件包括從所述底表面延伸到所述側表面的被所述金屬材料覆蓋的部分的金屬膜。

6.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述金屬材料包括選自錫、鉛、銀、銦、鉍、鋅、銻和銅中的至少一種材料。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

設置在所述凹部的底表面上的散熱金屬。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述半導體器件包括化合物半導體器件。

9.一種用于制造半導體裝置的方法，包括：

提供包括第一電極的半導體器件；

在包括第二電極的襯底上形成凹部；

將所述半導體器件設置在所述凹部中，使得所述第一電極靠近所述第二電極；

用散熱粘合材料從所述半導體器件的底表面到側表面的至少一部分覆蓋所述半導體器件；以及

將所述第一電極耦接到所述第二電極。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

使所述半導體器件外周的設置有所述第一電極的第一部分與所述凹部外周的設置有所述第二電極的第二部分以第一距離彼此面對；

使所述半導體器件外周的沒有設置所述第一電極的第三部分與所述凹部外周的沒有設置所述第二電極的第四部分以大于所述第一距離的第二距離彼此面對；以及

用所述散熱粘合材料覆蓋所述第二部分中所述半導體器件的所述側表面的至少一部分和所述半導體器件的所述底表面。

11.根據權利要求9所述的方法，還包括：

在所述凹部中待固定所述半導體器件的位置處設置仿真器件；

供給所述散熱粘合材料；

移除所述仿真器件以限定待固定在所述散熱粘合材料中的所述半導體器件的位置；以及

將所述半導體器件接合在所述位置。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述散熱粘合材料包括金屬材料。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述金屬材料的覆蓋所述半導體器件的所述側表面的至少一部分的部分具有凸表面。

14.根據權利要求13所述的方法，還包括：

在所述半導體器件上從所述底表面到所述側表面的覆蓋有所述金屬材料的部分形成金屬膜；以及

用所述金屬材料將所述半導體器件固定在所述凹部中。

15.根據權利要求12所述的方法，其中所述金屬材料包括選自錫、鉛、銀、銦、鉍、鋅、銻和銅中的至少一種材料。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述半導體器件包括化合物半導體器件。

17.根據權利要求15所述的方法，還包括：

通過切割在所述半導體襯底的背表面上形成具有深度的溝槽；

在所述半導體襯底的背表面上形成金屬膜以覆蓋所述溝槽的內表面；以及

從所述半導體襯底分割出所述半導體器件。