[發明專利]一種隔離型可快速關斷的MOSFET驅動電路

無效

• 申請號: 201210034432.5
• 申請日: 2012-02-16
• 公開（公告）號: CN102594101A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 廖志凌;施衛東;梅從立;宋中奇;劉國海
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種隔離型可快速關斷的MOSFET驅動電路，包括圖騰柱輸出電路、高頻隔離變壓器T、負電壓產生電路和MOSFET管，其特征在于：所述圖騰柱輸出電路由NPN型三極管T_r1和PNP型三極管T_r2組成，所述三極管T_r1反向并聯二極管D₁，所述三極管T_r2反向并聯二極管D₂；所述圖騰柱輸出電路的輸出點與隔直電容C₁正極相連，所述隔直電容C₁正極連接所述高頻隔離變壓器T原邊同名端；所述高頻隔離變壓器T副邊同名端與副邊電容C₂負極相連，所述副邊電容C₂正極串聯電阻R₁后接入所述MOSFET管的柵極，所述MOSFET管的源極與所述高頻隔離變壓器T副邊非同名端相連；穩壓二極管D₃陰極與副邊電容C₂的正極相連，陽極端與高頻隔離變壓器T副邊非同名端相連；二極管D₆反向并聯在柵極輸入電阻R₁的兩端；電阻R₂接在功率MOSFET管的柵極和源極之間。

2.根據權利要求1所述的一種隔離型可快速關斷的MOSFET驅動電路，其特征在于，還包括一個串聯在副邊電容C₂正極與電阻R₁之間的負電壓產生電路，所述負電壓產生電路包括二極管D₄、三極管T_r3、穩壓管D₅和電解電容C₃；所述二極管D₄的陽極與所述副邊電容C₂正極相連，所述二極管D₄的陰極與所述電解電容C₃的一端相連，所述電解電容C₃的另一端與電阻R₁連接；所述三極管T_r3的基極與所述副邊電容C₂的正極相連，集電極與所述二極管D₄陰極相連，發射極與所述高頻隔離變壓器T副邊非同名端相連；所述穩壓管D₅并聯在所述電解電容C₃的兩端。

3.根據權利要求1所述的一種隔離型可快速關斷的MOSFET驅動電路，其特征在于，所述高頻隔離變壓器T的匝數比為1:1。