[發明專利]具有分開的吸收和倍增區域的鍺/硅雪崩光電檢測器

無效

• 申請號: 201210034390.5
• 申請日: 2006-06-28
• 公開（公告）號: CN102593202A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: M·摩斯;O·多森姆;M·潘尼卡;A·劉
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L31/028
• 分類號: H01L31/028;H01L31/107
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳煒

1.一種用于光學設備的裝置，包括：

包括緊鄰第二類型半導體材料的第一類型半導體材料的吸收區；

倍增區，所述倍增區包括其中電場倍增在所述吸收區中產生的電子的區域；以及

將所述吸收區與所述倍增區分離的部分分離區。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述吸收區吸收在所述吸收區相對所述倍增區一側上入射的光并且其中所述電子是響應于吸收所述光而在所述吸收區中光電產生的。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一類型半導體材料包括第一硅層，而所述第二類型半導體材料包括鍺層。

4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第一硅層包括第一本征硅層，而所述鍺層包括本征鍺層。

5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述倍增區包括第二本征硅層。

6.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括：

襯底，所述吸收區、倍增區和部分分離區沉積在所述襯底上，其中所述倍增區沉積在所述襯底和所述吸收區之間。

7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，還包括：

沉積在所述襯底和所述倍增區之間的埋置氧化物層。

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述襯底包括硅襯底。

9.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述部分分離區包括p型硅層。

10.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，還包括：

在所述埋置氧化物層和所述倍增區之間沉積的n型硅層。

11.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，還包括：

在所述埋置氧化物層和所述光所入射的吸收區頂表面之間沉積的諧振腔，其中所述埋置氧化物層用作反射層。

12.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括在所述第一類型半導體材料的第一部分中沉積的摻雜觸點。

13.根據權利要求12所述的裝置，其特征在于，還包括與所述第一類型半導體材料的第二部分一起沉積并至少部分圍繞所述摻雜觸點的摻雜護圈。

14.根據權利要求13所述的裝置，其特征在于，所述摻雜觸點和所述摻雜護圈包括p型摻雜硅。

15.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述光學設備包括光電檢測器。