[發(fā)明專利]MEMS建模系統(tǒng)及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210034332.2
• 申請日: 2012-02-15
• 公開（公告）號: CN102682151A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳東村;彭永州;黃睿政
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種對微機電器件進行建模的方法，所述方法包括：

將MEMS設(shè)計分成多個區(qū)域，所述多個區(qū)域中的至少一個區(qū)域與所述多個區(qū)域中的另一區(qū)域位于相互獨立的虛擬層中；

為所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域建立模型；以及

將所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域的模型加入到MEMS模型中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，為所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域建立模型的步驟進一步包括：為所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域建立參數(shù)化模型。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域的所述參數(shù)化模型包括參數(shù)方程。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在將所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域的模型加入到MEMS模型中的步驟之后進一步包括：校準(zhǔn)所述MEMS模型。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，通過硅相關(guān)性法至少部分地實施校準(zhǔn)所述MEMS模型的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，通過三維分析法至少部分地實施校準(zhǔn)所述MEMS模型的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，校準(zhǔn)所述MEMS模型的步驟進一步包括：

測試所述MEMS模型，以確定所述MEMS模型是否不符合一系列規(guī)格；以及

當(dāng)所述MEMS模型不符合所述一系列規(guī)格時，調(diào)整所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域的模型中的一個。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，調(diào)整所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域的模型中的一個的步驟進一步包括：調(diào)整所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域的模型中的一個的至少一個參數(shù)化參數(shù)。

9.一種對微機電器件進行建模的方法，所述方法包括：

將三維MEMS設(shè)計分成第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域位于相互獨立的層中；

為所述第一區(qū)域建立第一模型，為所述第二區(qū)域建立第二模型，所述第一模型與所述第二模型不同；以及

將所述第一模型和所述第二模型結(jié)合到MEMS器件模型中。

10.一種對微機電器件進行建模的計算機程序產(chǎn)品，所述計算機程序產(chǎn)品具有非暫時性計算機可讀介質(zhì)，在所述非暫時性計算機可讀介質(zhì)上包含有計算機程序，所述計算機程序包括：

用于接收第一模型和第二模型的計算機程序代碼，所述第一模型包括微機電器件的第一區(qū)域的第一區(qū)域模型，所述第二模型包括所述微機電器件的第二區(qū)域的第二區(qū)域模型；以及

用于根據(jù)所述第一模型和所述第二模型獲得MEMS模型的計算機程序代碼。