[發明專利]降低了側壁引發的泄漏的背面照明圖像傳感器有效
| 申請號: | 201210034271.X | 申請日: | 2012-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN103531597A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發明(設計)人: | 蔡雙吉;楊敦年;劉人誠;王文德;曾曉暉 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務所 11306 | 代理人: | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 降低 側壁 引發 泄漏 背面 照明 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器件,包括:
基板,具有正表面、背表面、和側壁,所述側壁垂直于所述正表面和所述背表面;
輻射檢測器件,形成在所述基板中,所述輻射檢測器件可操作用于檢測穿過所述背表面進入所述基板的輻射波;
互連結構,形成在所述基板的正表面上,所述互連結構延展超出所述基板的側壁;以及
導電焊盤,形成在所述互連結構上,所述導電焊盤鄰近所述側壁,但與所述側壁間隔開。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器件,其中,所述導電焊盤形成在所述互連結構的面向所述基板的一側。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器件,其中,所述導電焊盤形成在所述圖像傳感器件的接合焊盤區域中。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器件,其中,在所述基板的側壁和所述導電焊盤之間存在臺階高度。
5.根據權利要求4所述的圖像傳感器件,其中,所述臺階高度大于大約1微米。
6.根據權利要求1所述的圖像傳感器件,其中,所述側壁的一部分包含導電材料,所述導電材料具有與所述導電焊盤相同的材料組分。
7.根據權利要求1所述的圖像傳感器件,其中,所述導電焊盤與所述互連結構的金屬層相電連接。
8.根據權利要求1所述的圖像傳感器件,其中:
所述互連結構包括層間介電ILD層,所述層間介電ILD層的一部分在朝向所述導電焊盤的方向上延展超出所述側壁第一距離;以及
所述導電焊盤的一部分形成為在所述ILD層的一部分的上方第二距離,所述第二距離小于所述第一距離。
9.一種圖像傳感器件,包括:
基板,具有正面、背面、以及側壁,所述側壁與所述正面和所述背面相連接;
多個輻射感測區域,設置在所述基板中,每個所述輻射感測區域均可操作用于感測穿過所述背面發射到所述輻射感測區域的輻射;
互連結構,連接到所述基板的正面,所述互連結構包括多個互連層,并且延展超出所述基板的側壁;以及
接合焊盤,與所述基板的側壁間隔開,所述接合焊盤電連接到所述互連結構中的所述多個互連層中的一層。
10.一種制造圖像傳感器件的方法,包括:
提供基板,所述基板具有正表面、背表面和側壁,所述側壁垂直于所述正表面和所述背表面;
在所述基板中形成多個輻射感測區域,每個所述輻射感測區域均可操作用于感測穿過所述背面發射到所述輻射感測區域的輻射;
在所述基板的正表面上方形成互連結構;
移除所述基板的一部分,從而將所述互連結構的金屬互連層暴露出來;以及
在所述互連結構上形成接合焊盤,從而使得所述接合焊盤電連接到所暴露出的金屬互連層,并且與所述基板的側壁間隔開。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





