[發明專利]制造半導體裝置的裝置和方法及制造電子設備的方法

有效

• 申請號: 201210034194.8
• 申請日: 2012-02-15
• 公開（公告）號: CN102683195B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 武谷佑花里;巖元勇人;萩本賢哉;本岡榮蔵
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司11290
• 代理人: 褚海英,武玉琴

1.一種半導體制造裝置，其包括：

處理室，其用期望的化學液來處理晶片的被處理膜；

膜厚度測量單元，其用于測量處理前的所述被處理膜的初始膜厚度和處理后的所述被處理膜的最終膜厚度；以及

主體控制單元，其用于由所述初始膜厚度、所述最終膜厚度、待處理晶片和下一個待處理的晶片之間的等待時間，以及從所述初始膜厚度直到所述最終膜厚度所花費的化學液處理時間而計算出所述化學液的處理速度，以便由所述算出的處理速度計算出所述下一個待處理的晶片的化學液處理時間，

其中，

所述主體控制單元中保持有表示所述化學液的所述處理速度相對于經歷時間的變化率的變化曲線的數據，并且所述主體控制單元通過所述處理速度對應于所述處理室中待被化學液處理的晶片和下一個待處理的晶片之間的等待時間的所述變化率來計算校正后的處理速度，以便通過所述校正后的處理速度計算出所述下一個待處理的晶片的所述化學液處理時間。

2.如權利要求1所述的半導體制造裝置，其中，

所述等待時間為第N塊晶片的化學液處理和第(N+1)塊晶片的化學液處理之間的時間，或者為第P組的化學液處理和第(P+1)組的化學液處理之間的時間，其中，N為自然數，P為自然數。

3.如權利要求1至2之一所述的半導體制造裝置，其中，

在所述膜厚度測量單元中，對所述晶片上部的多個點處的膜厚度進行測量，并且對所述多個膜厚度進行統計處理，從而計算出所述初始膜厚度和所述最終膜厚度。

4.一種半導體裝置的制造方法，該方法包括：

將具有被處理膜的晶片置于處理室中；

測量處理前的所述被處理膜的初始膜厚度；

在期望的化學液處理時間內對所述晶片進行化學液處理；

測量處理后的所述被處理膜的最終膜厚度；

由所述初始膜厚度、所述最終膜厚度、待處理晶片和下一個待處理的晶片之間的等待時間，以及從所述初始膜厚度直到所述最終膜厚度所花費的化學液處理時間而計算出用于所述化學液處理的化學液的處理速度；并且

由所述算出的處理速度計算出所述下一個待處理的晶片的化學液處理時間，

其中，

由所述初始膜厚度、所述最終膜厚度以及從所述初始膜厚度直到所述最終膜厚度所花費的化學液處理時間而計算出用于所述化學液處理的化學液的處理速度，

當在所述處理室中經化學液處理的晶片和下一個待處理的晶片之間存在等待時間時，通過所述化學液的所述處理速度的對應于所述等待時間的變化率來校正所述算出的處理速度而得到校正后的處理速度，并且

將所述下一個待處理的晶片的被處理膜的初始膜厚度和目標膜厚度之間的差值除以通過所述校正后的處理速度計算出所述下一個待處理的晶片的所述化學液處理時間。

5.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述等待時間是第N塊晶片的化學液處理和第(N+1)塊晶片的化學液處理之間的時間，或者是第P組的化學液處理和第(P+1)組的化學液處理之間的時間，其中，N為自然數，P為自然數。

6.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述初始膜厚度和所述最終膜厚度是通過對所述晶片上部的多個點處的膜厚度進行測量以便由所述多個膜厚度而計算出的統計值。

7.一種電子設備的制造方法，該方法包括如權利要求4至6之一所述的半導體裝置的制造方法。