[發明專利]非易失性存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210032384.6
• 申請日: 2012-02-14
• 公開（公告）號: CN102800689B
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 李南宰
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L21/762
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 郭放,許偉群

1.一種非易失性存儲器件，包括：

多個浮柵，所述多個浮柵形成在半導體襯底之上；

隧道絕緣層，所述隧道絕緣層形成在所述半導體襯底與所述多個浮柵之間；

絕緣體，所述絕緣體形成在所述多個浮柵的第一側壁上；

電介質層，所述電介質層形成在所述多個浮柵的第二側壁和上表面上；以及

控制柵，所述控制柵形成在所述電介質層之上，

其中，所述多個浮柵具有相同的臨界尺寸，以及交替地設置在所述多個浮柵之間的間隔具有不同的臨界尺寸，以及

其中，所述多個浮柵之間的間隔非對稱地形成，

其中，所述多個浮柵的相鄰的所述第二側壁之間的間隔大于所述多個浮柵的相鄰的所述第一側壁之間的間隔，

其中，所述半導體襯底包括第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽與所述多個浮柵的第二側壁對準，所述第二溝槽與所述多個浮柵的第一側壁對準，所述絕緣體在間隙填充所述第二溝槽的同時形成在所述多個浮柵的第一側壁上。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括間隙填充所述第一溝槽的隔離層，其中，所述隔離層具有暴露出所述多個浮柵的第二側壁的高度。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述絕緣體包括氧化物層。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述電介質層具有氧化物-氮化物-氧化物結構，所述氧化物-氮化物-氧化物結構具有順序層疊的氧化物層、氮化物層和氧化物層。

5.一種非易失性存儲器件，包括：

多個浮柵，所述多個浮柵形成在襯底之上并且由交替設置在所述多個浮柵之間的第一溝槽和第二溝槽而彼此隔離開，其中，所述第二溝槽具有比所述第一溝槽小的寬度；

第一隔離層，所述第一隔離層部分地間隙填充所述第一溝槽；

第二隔離層，所述第二隔離層間隙填充所述第二溝槽；

電介質層，所述電介質層形成在包括所述第一隔離層和所述第二隔離層以及所述浮柵的半導體襯底的整個表面上；以及

控制柵，所述控制柵形成在所述電介質層之上以間隙填充所述第一溝槽，

其中，所述多個浮柵具有相同的臨界尺寸，以及交替地設置在所述多個浮柵之間的間隔具有不同的臨界尺寸，以及

其中，所述多個浮柵之間的間隔非對稱地形成。

6.如權利要求5所述的非易失性存儲器件，其中，所述多個浮柵包括具有接觸所述電介質層的側壁的單側浮柵。

7.如權利要求5所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一隔離層和所述第二隔離層包括氧化物層。

8.如權利要求5所述的非易失性存儲器件，其中，所述電介質層具有順序地層疊了氧化物、氮化物和氧化物的氧化物-氮化物-氧化物結構。

9.如權利要求5所述的非易失性存儲器件，其中，在所述半導體襯底中形成有第一溝槽和第二溝槽，利用所述第一溝槽和所述第二溝槽來隔離多個有源區。

10.如權利要求5所述的非易失性存儲器件，其中，在所述半導體襯底中形成有第一溝槽和第二溝槽，利用所述第一溝槽和所述第二溝槽來隔離多個有源區，所述浮柵形成在各個所述有源區之上，并且隧道絕緣層設置在所述有源區與所述浮柵之間。

11.一種制造非易失性存儲器件的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底之上形成多個第一導電層圖案，使得所述第一導電層圖案由交替設置在所述多個第一導電層圖案之間的第一溝槽和第二溝槽而彼此隔離開，其中，所述第二溝槽具有比所述第一溝槽小的寬度；

形成部分地間隙填充所述第一溝槽的第一隔離層、以及間隙填充所述第二溝槽的第二隔離層；

通過刻蝕所述第一導電層圖案形成多個浮柵；

在包括所述第一隔離層和所述第二隔離層以及所述浮柵的所得結構的整個表面之上形成電介質層；

在所述電介質層之上形成第二導電層；以及

通過刻蝕所述第二導電層形成控制柵，

其中，所述多個浮柵具有相同的臨界尺寸，以及交替地設置在所述多個浮柵之間的間隔具有不同的臨界尺寸，以及

其中，所述多個浮柵之間的間隔非對稱地形成。