[發明專利]用于半導體制造設備的清洗設備以及使用其制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201210032005.3
• 申請日: 2012-02-13
• 公開（公告）號: CN102637587A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 中村哲一;山田敦史;武田正行;渡部慶二;今西健治
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國

1.一種用于半導體制造設備的清洗設備，包括：

氧化物移除裝置，其設置為移除粘附于所述半導體制造設備的構件的沉積物的表面上的氧化物，和

沉積物移除裝置，其設置為在通過所述氧化物移除裝置移除所述表面上的氧化物之后移除所述沉積物。

2.根據權利要求1所述的用于半導體制造設備的清洗設備，其中所述氧化物移除裝置對所述氧化物實施等離子體蝕刻。

3.根據權利要求2所述的用于半導體制造設備的清洗設備，其中所述氧化物移除裝置使所述氧化物暴露于用于所述等離子體蝕刻的惰性氣體的等離子體。

4.根據權利要求1所述的用于半導體制造設備的清洗設備，其中所述沉積物移除裝置對所述沉積物實施化學反應蝕刻。

5.根據權利要求4所述的用于半導體制造設備的清洗設備，其中所述沉積物移除裝置使用氫氣、氯氣和氯化氫氣體中的至少之一作為用于所述化學反應蝕刻的蝕刻氣體。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的用于半導體制造設備的清洗設備，其中將通過所述氧化物移除裝置處理結束的所述構件在與環境氣氛相隔離的條件下輸送至所述沉積物移除裝置。

7.根據權利要求1所述的用于半導體制造設備的清洗設備，其中所述沉積物包括氮化物半導體。

8.根據權利要求7所述的用于半導體制造設備的清洗設備，其中所述氮化物半導體包括GaN、AlGaN和AlN中的至少之一。

9.根據權利要求1所述的用于半導體制造設備的清洗設備，其中所述半導體制造設備的所述構件包括石英、碳化硅和碳中的至少之一。

10.一種用于清洗半導體制造設備的方法，包括：

移除粘附于所述半導體制造設備的構件的沉積物的表面上的氧化物；和

在移除所述氧化物之后移除所述沉積物。

11.根據權利要求10所述的用于清洗半導體制造設備的方法，其中在移除所述氧化物中對所述氧化物實施等離子體蝕刻。

12.根據權利要求11所述的用于清洗半導體制造設備的方法，其中使所述氧化物暴露于用于所述等離子體蝕刻的惰性氣體的等離子體。

13.根據權利要求10所述的用于清洗半導體制造設備的方法，其中在移除所述沉積物中對所述沉積物實施化學反應蝕刻。

14.根據權利要求13所述的用于清洗半導體制造設備的方法，其中使用氫氣、氯氣和氯化氫氣體中的至少之一作為用于所述化學反應蝕刻的蝕刻氣體。

15.根據權利要求10～14中任一項所述的用于清洗半導體制造設備的方法，其中將移除了所述氧化物的所述構件在與環境氣氛相隔離的條件下輸送至用于移除所述沉積物的室。

16.根據權利要求10所述的用于清洗半導體制造設備的方法，其中所述沉積物包括氮化物半導體。

17.根據權利要求16所述的用于清洗半導體制造設備的方法，其中所述氮化物半導體包括GaN、AlGaN和AlN中的至少之一。

18.根據權利要求10所述的用于清洗半導體制造設備的方法，其中所述構件包括石英、碳化硅和碳中的至少之一。

19.一種用于制造半導體器件的方法，包括：

使用半導體制造設備在襯底上形成氮化物半導體層；和

通過用于半導體制造設備的清洗設備清洗所述半導體制造設備的構件，其中所述清洗設備包括：

氧化物移除裝置，其移除粘附于所述半導體制造設備的構件的沉積物的表面上的氧化物，和

沉積物移除裝置，其在通過所述氧化物移除裝置移除所述表面上的所述氧化物之后移除所述沉積物。