[發(fā)明專利]外延生長缺陷控制結(jié)構(gòu)、包含缺陷控制結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210031829.9 | 申請日： | 2012-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN102683525A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張劍平;王紅梅;閆春輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 亞威朗集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04;H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;楊文娟 |
| 地址： | 香港中環(huán)都*** | 國省代碼： | 中國香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 外延 生長 缺陷 控制 結(jié)構(gòu) 包含 發(fā)光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光器件包含：
缺陷控制層，具有分配在其中的納米顆粒；以及
發(fā)光器件結(jié)構(gòu)，形成在所述缺陷控制層上，
其中，所述納米顆粒是在所述缺陷控制層形成過程中被原位分配到所述缺陷控制層中的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述發(fā)光器件結(jié)構(gòu)中包含N型層、P型層和夾在它們之間的激活區(qū)，且該N型層作為一個單獨(dú)的層或者作為所述缺陷控制層的組成部分形成在所述缺陷控制層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包含夾在激活區(qū)和所述N型層之間的另一N型層，其中該另一N型層作為一個單獨(dú)的層或者作為所述N型層的組成部分形成在所述N型層上，并且納米顆粒被分配到所述另一N型層中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包含夾在激活區(qū)和所述P型層之間的另一P型層，其中所述另一P型層和所述P型層形成為兩個單獨(dú)的層或者形成為一個整體層，并且納米顆粒被分配到所述另一P型層中。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述激活區(qū)包含一個或多個量子阱且所述一個或多個量子阱中的至少一個包含納米顆粒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述納米顆粒的尺寸在10-500納米的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包含襯底或模板層，用以在其上形成所述缺陷控制層。
8.一種形成發(fā)光器件的方法包含：
提供襯底；
在反應(yīng)器中于該襯底上外延生長缺陷控制層，且引入納米顆粒到該反應(yīng)器中以便原位分配所述納米顆粒到所述缺陷控制層中；以及
在所述缺陷控制層上形成發(fā)光器件結(jié)構(gòu)，其中所述發(fā)光器件結(jié)構(gòu)包含N型層、P型層和夾在它們之間的激活區(qū)，且所述激活區(qū)包含一個或多個量子阱以及與所述一個或多個量子阱交替排列的一個或多個量子壘。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，包含在所述缺陷控制層上外延生長所述N型層作為一個單獨(dú)的層或作為所述缺陷控制層的組成部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包含：
在所述N型層上外延生長另一N型層，且引入納米顆粒到該反應(yīng)器中，以便于原位分配所述納米顆粒到所述另一N型層中，其中所述另一N型層作為一個單獨(dú)的層或作為所述N型層的組成部分形成在所述N型層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，包含：
在所述激活區(qū)上外延生長另一P型層且當(dāng)外延生長所述另一P型層時引入納米顆粒到該反應(yīng)器中，以便所述納米顆粒被原位分配到所述另一P型層中，其中所述P型層作為一個單獨(dú)的層或作為所述另一P型層的組成部分形成在所述另一P型層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，包含當(dāng)外延生長所述一個或多個量子阱中的至少一個量子阱時，引入納米顆粒到該反應(yīng)器中，以便所述納米顆粒被原位分配到所述至少一個量子阱中。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述納米顆粒選自氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧化鈦(TiO2)，或它們的混合物，并被供應(yīng)到該反應(yīng)器中。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，包含：
在該反應(yīng)器的氣相中形成氮化物納米顆粒，且在所述一個或多個量子壘中的至少一個量子壘上沉積所述氮化物納米顆粒；以及
在沉積有所述氮化物納米顆粒的所述量子壘上外延生長所述一個或多個量子阱中的至少一個量子阱。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述納米顆粒尺寸在10-500納米范圍內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包含在外延生長所述缺陷控制層之前在所述襯底上形成一模板層。
17.一種發(fā)光器件包含：
發(fā)光器件結(jié)構(gòu)，包含N型層、P型層和夾在它們之間的激活區(qū)，其中所述激活區(qū)包含一個或多個量子阱，并且所述一個或多個量子阱中的至少一個量子阱包含在該量子阱形成過程中被原位引入的納米顆粒。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包含缺陷控制層，所述發(fā)光器件結(jié)構(gòu)形成于該缺陷控制層上，其中所述缺陷控制層中分散有納米顆粒。
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