[發明專利]一種IGBT模塊

有效

• 申請號: 201210031820.8
• 申請日: 2012-02-14
• 公開（公告）號: CN102569276A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 李繼魯;方杰;萬正芬;曾雄;趙洪濤;彭勇殿;吳煜東
• 申請（專利權）人: 株洲南車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/49
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種IGBT模塊，其特征在于，包括：

襯板，所述襯板為十字形結構，所述襯板具有兩兩相對的四個翼；

位于所述襯板上的一組FRD芯片、兩組IGBT芯片以及母排，所述母排包括發射極母排和集電極母排；

其中，所述一組FRD芯片、兩組IGBT芯片以及母排分別位于所述襯板的不同翼上，所述兩組IGBT芯片分別位于十字形襯板相對的兩翼上，所述FRD芯片和母排分別位于剩余相對的兩翼上。

2.根據權利要求1所述的IGBT模塊，其特征在于，所述兩組IGBT芯片以所述一組FRD芯片的中軸線為軸，在所述十字形襯板的兩翼上對稱排布。

3.根據權利要求2所述的IGBT模塊，其特征在于，所述發射極母排和集電極母排的焊接點位于所述十字形襯板的邊緣位置，母排轉彎處下方的磁通密度集中區域遠離所述FRD芯片和IGBT芯片。

4.根據權利要求3所述的IGBT模塊，其特征在于，該IGBT模塊還包括，位于所述十字形襯板中心區域的貼片電阻和柵射極焊接區。

5.根據權利要求4所述的IGBT模塊，其特征在于，該IGBT模塊中所述IGBT芯片的發射極通過所述襯板正面的金屬層匯集到發射極引出端，集電極通過所述襯板正面的金屬層匯集到集電極引出端，所述發射極引出端與所述發射極母排電性相連，所述集電極引出端所述集電極母排電性相連。

6.根據權利要求5所述的IGBT模塊，其特征在于，所述襯板的正面和背面均覆蓋有金屬層，所述金屬層為覆銅層或覆鋁層。

7.根據權利要求1-6任一項所述的IGBT模塊，其特征在于，每組IGBT芯片中包括2個IGBT芯片。

8.根據權利要求1-6任一項所述的IGBT模塊，其特征在于，所述一組FRD芯片中包括一個FRD芯片。

9.根據權利要求1-6任一項所述的IGBT模塊，其特征在于，所述一組FRD芯片中包括兩個FRD芯片。