[發明專利]鎢化學機械拋光后清洗溶液及其使用方法

有效

• 申請號: 201210031594.3
• 申請日: 2012-02-13
• 公開（公告）號: CN102693899A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 李紅旗;阿努拉格·金達爾;呂瑾
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C11D7/26;B08B3/04
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種鎢化學機械拋光后清洗方法，其特征在于包含：

進行一鎢化學機械拋光工藝，形成一晶片表面，其特征在于所述的晶片表面至少包含一介電層表面以及一鎢金屬表面，而且在所述的晶片表面上剩余有拋光顆粒及/或聚合物污染物；以及

使用一只含有羧酸及水的清洗溶液去除所述晶片表面上剩余的所述的拋光顆粒及/或聚合物污染物。

2.一種鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其只包含：(1)羧酸；以及(2)去離子水。

3.根據權利要求2所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其特征在于，所述的羧酸選自以下的群組：(1)單羧酸；(2)二羧酸；(3)三羧酸；(4)多羧酸；(5)羥基羧酸；(6)上述羧酸的鹽類；以及(7)任何以上的組合。

4.根據權利要求3所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其特征在于，所述的單羧酸包含有苯甲酸或丙烯酸。

5.根據權利要求4所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其特征在于，所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液是重量百分比0.3％的苯甲酸以及重量百分比99.7％的去離子水所組成。

6.根據權利要求4所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其特征在于，所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成是重量百分比0.2％的丙烯酸以及重量百分比99.8％的去離子水所組成。

7.根據權利要求3所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其特征在于，所述的二羧酸包含有草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、馬來酸或反丁烯二酸。

8.根據權利要求7所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其特征在于，所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成是重量百分比0.1％的草酸以及重量百分比99.9％的去離子水所組成。

9.根據權利要求7所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其特征在于，所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成是重量百分比0.1％的馬來酸以及重量百分比99.8％的去離子所水組成。

10.根據權利要求3所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其特征在于，所述的三羧酸包含有檸檬酸。

11.根據權利要求3所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其特征在于，所述的多羧酸包含有聚丙烯酸。

12.根據權利要求11所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其特征在于所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液是重量百分比0.4％的聚丙烯酸以及重量百分比99.6％的去離子水所組成。

13.根據權利要求3所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其特征在于所述的羥基羧酸包含有檸檬酸。

14.根據權利要求13所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液組成，其特征在于所述的鎢化學機械拋光后清洗溶液是重量百分比0.3％的檸檬酸以及重量百分比99.7％的去離子水所組成。

15.一種鎢化學機械拋光后清洗方法，其特征在于包含有：

進行一鎢化學機械拋光工藝，形成一晶片表面，其特征在于所述的晶片表面至少包含一暴露的碳化硅表面及一鎢金屬表面；

借由只含有羧酸及水的清洗溶液濕潤所述暴露的碳化硅表面；

借由所述的清洗溶液或去離子水沖洗或刷洗所述的暴露的碳化硅表面；以及

將所述的晶片表面干燥。

16.根據權利要求15所述的鎢化學機械拋光后清洗方法，其特征在于，所述的暴露的碳化硅表面經過所述的只含有羧酸及水的清洗溶液濕潤后，會在所述的晶片表面形成一懸浮液膜。

17.根據權利要求16所述的鎢化學機械拋光后清洗方法，其特征在于，借由刷洗或潤濕方式濕潤所述的暴露出的碳化硅表面。

18.根據權利要求16所述的鎢化學機械拋光后清洗方法，其特征在于，所述的懸浮液膜為一接觸所述晶片表面的含水薄膜，所述的含水薄膜包含懸浮的聚合物或微顆粒。

19.根據權利要求18所述的鎢化學機械拋光后清洗方法，其特征在于，所述懸浮的聚合物或微顆粒被所述的羧酸包圍起來，在所述的清洗溶液中形成微胞狀結構。