[發明專利]一種基于金剛線切割的單晶硅片的濕法制絨方法有效
| 申請號： | 201210031456.5 | 申請日： | 2012-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN102560685A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 余學功;陳林;楊德仁;路景剛 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 金剛 切割 單晶硅 濕法 方法 | ||
1.一種基于金剛線切割的單晶硅片的濕法制絨方法，其特征在于，包括：
(1)將所述的單晶硅片清洗、晾干，于60-80℃條件下在混合溶液中浸泡腐蝕20-400s，得預處理后的單晶硅片，所述的混合溶液由NaOH、異丙醇和去離子水組成，其中NaOH、異丙醇和去離子水的重量比為10-20∶0.8-12∶100-200；
(2)將所述的預處理后的單晶硅片清洗后進行濕法制絨。
2.根據權利要求1所述的濕法制絨方法，其特征在于，步驟(2)中所述的濕法制絨為：將清洗后的單晶硅片于76-82℃條件下在混合溶液中浸泡腐蝕10-30min，再在去離子水中沖洗即可，所述的混合溶液的組成為：以1-2kg的NaOH為基準，異丙醇的添加量為3-5L，制絨添加劑的添加量為100-500ml，去離子水的添加量為150L。
3.根據權利要求1所述的濕法制絨方法，其特征在于，步驟(1)中所述的混合溶液中NaOH、異丙醇和去離子水的重量比為10-15∶0.8-12∶100-200。
4.根據權利要求1所述的濕法制絨方法，其特征在于，步驟(1)中所述的混合溶液中NaOH、異丙醇和去離子水的重量比為10-20∶0.8-12∶80-160。
5.根據權利要求1所述的濕法制絨方法，其特征在于，步驟(1)中所述浸泡腐蝕的時間為20-200s。
6.根據權利要求1所述的濕法制絨方法，其特征在于，步驟(1)所述的單晶硅片在混合溶液中浸泡時的溫度為65-75℃。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江大學，未經浙江大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210031456.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
