[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210031140.6
• 申請(qǐng)日: 2012-02-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102682852A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 今井丈晴;高木宏樹(shù)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C29/12
• 分類(lèi)號(hào): G11C29/12;G11C16/06
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 章蕾

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于包含：

高電壓產(chǎn)生電路，其用以對(duì)存儲(chǔ)器供給高電壓；

高電壓調(diào)節(jié)電路，其是將所述高電壓產(chǎn)生電路中所產(chǎn)生的高電壓維持為固定電壓的電路，且包含電壓設(shè)定用元件；

電壓調(diào)整電路，其調(diào)整所述電壓設(shè)定用元件的電位而調(diào)整供給至存儲(chǔ)器的高電壓；及

存儲(chǔ)部，其存儲(chǔ)著供給至所述電壓調(diào)整電路的電壓修正數(shù)據(jù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述電壓設(shè)定用元件為齊納二極管。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述電壓調(diào)整電路調(diào)整所述齊納二極管的陽(yáng)極側(cè)的電位。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述電壓調(diào)整電路調(diào)整所述齊納二極管的陰極側(cè)的電位。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：電壓設(shè)定用元件為電阻。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：電壓設(shè)定用元件為連接成具有二極管特性的第一晶體管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述存儲(chǔ)部由所述存儲(chǔ)器的一部分構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述電壓修正數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)于所述電壓設(shè)定用元件的電位的調(diào)整范圍而被寫(xiě)入至所述存儲(chǔ)部中。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：利用所述電壓調(diào)整電路對(duì)電壓設(shè)定用元件的電位調(diào)整是通過(guò)與所述電壓設(shè)定用元件連接的第二晶體管的臨界電壓進(jìn)行調(diào)整。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：串聯(lián)連接著多個(gè)所述第二晶體管，通過(guò)所述多個(gè)晶體管的導(dǎo)通、斷開(kāi)的組合來(lái)調(diào)整所述電壓設(shè)定用元件的電位。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述第二晶體管由具有不同臨界值的晶體管構(gòu)成。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述電壓調(diào)整電路由包含鎖存電路與所述第二晶體管的電路構(gòu)成。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述鎖存電路在每次從所述存儲(chǔ)部讀出電壓修正數(shù)據(jù)時(shí)鎖存數(shù)據(jù)。