[發(fā)明專利]垂直式發(fā)光二極管及其制法與應(yīng)用無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210031028.2 | 申請(qǐng)日： | 2012-02-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103219444A | 公開（公告）日： | 2013-07-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 宋健民;甘明吉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 錸鉆科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/44 | 分類號(hào)： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 周長(zhǎng)興 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 垂直 發(fā)光二極管 及其 制法 應(yīng)用 | ||
1.一種垂直式發(fā)光二極管，包括：
一導(dǎo)電基板；
一導(dǎo)電性類金剛石層，設(shè)置于該導(dǎo)電基板上；
一第一絕緣保護(hù)層，設(shè)置于該導(dǎo)電性類金剛石層上且設(shè)有一第一開孔；
一第一電極，設(shè)置于該導(dǎo)電性類金剛石層上且位于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔中；
一半導(dǎo)體外延層，設(shè)置于該第一電極上；
一第二絕緣保護(hù)層，設(shè)置于該第一絕緣保護(hù)層上且覆蓋該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)側(cè)面，且設(shè)有一第二開孔，以顯露該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)表面；以及
一第二電極，設(shè)置于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上且位于該第二絕緣保護(hù)層的該第二開孔中。
2.如權(quán)利要求1所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)之間。
3.如權(quán)利要求1所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)包含一第一半導(dǎo)體外延層、一活性中間層、以及一第二半導(dǎo)體外延層，且該活性中間層夾置于該第一半導(dǎo)體外延層以及該第二半導(dǎo)體外延層之間。
4.如權(quán)利要求3所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該第一半導(dǎo)體外延層以及該第一電極層為P型，該第二半導(dǎo)體外延層以及該第二電極為N型。
5.如權(quán)利要求3所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該第一半導(dǎo)體外延層之間。
6.如權(quán)利要求1所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該導(dǎo)電性類金剛石層為一導(dǎo)電材料與導(dǎo)電性類金剛石的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、一含導(dǎo)電材料的類金剛石層、一石墨化的類金剛石層或其組合。
7.如權(quán)利要求1所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該導(dǎo)電基板是以金屬、含導(dǎo)電材料的陶瓷或含導(dǎo)電材料的金剛石制成。
8.如權(quán)利要求1所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該第一絕緣保護(hù)層的材質(zhì)及該第二絕緣保護(hù)層的材質(zhì)分別為二氧化硅、氮化硅、氮化鋁、絕緣類金剛石或其組合。
9.一種垂直式發(fā)光二極管的制造方法，包括以下步驟：
提供一暫時(shí)基材，該暫時(shí)基材上形成有一半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、一第一電極、以及一第一絕緣保護(hù)層，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)位于該暫時(shí)基材上，該第一絕緣保護(hù)層及該第一電極位于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，且該第一絕緣保護(hù)層是圖案化成設(shè)有一第一開孔，該第一電極嵌于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔內(nèi)；
于該第一絕緣保護(hù)層及該第一電極上，形成一導(dǎo)電性類金剛石層；
于該導(dǎo)電性類金剛石層上形成一導(dǎo)電基板，并移除該暫時(shí)基材；
圖案化該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，使其顯露該第一絕緣保護(hù)層；
于該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)以及該第一絕緣保護(hù)層上，形成一第二絕緣保護(hù)層，其中，該第二絕緣保護(hù)層設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第二開孔，以顯露該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)；以及
于該第二絕緣保護(hù)層的該第二開孔中且于該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，形成一第二電極。
10.如權(quán)利要求9所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一絕緣保護(hù)層是先形成于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，經(jīng)圖案化而設(shè)有該第一開孔后，再于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，形成該第一電極于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔中。
11.如權(quán)利要求9所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，于形成該第二絕緣保護(hù)層之前，包含以下步驟：粗糙化該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求9所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)之間。
13.如權(quán)利要求9所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)包含一第一半導(dǎo)體外延層、一活性中間層、以及一第二半導(dǎo)體外延層，且該活性中間層夾置于該第一半導(dǎo)體外延層以及該第二半導(dǎo)體外延層之間。
14.如權(quán)利要求13所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一半導(dǎo)體外延層以及該第一電極層為P型，該第二半導(dǎo)體外延層以及該第二電極為N型。
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