[發(fā)明專利]高熱負(fù)載大功率半導(dǎo)體激光器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210031000.9 | 申請日: | 2012-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN102570293A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓堯;田國光;李軍;凌勇;孫松濤;李琮;馬永坤;徐連強(qiáng) | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州華必大激光有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/024 | 分類號: | H01S5/024 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高熱 負(fù)載 大功率 半導(dǎo)體激光器 | ||
1.一種高熱負(fù)載大功率半導(dǎo)體激光器,其包括:
殼體(1),所述的殼體(1)側(cè)壁上固定安裝有多個(gè)管腳(11);
TEC制冷器(2),其燒焊在所述管殼(1)內(nèi);
熱沉(3),其固定在所述的TEC制冷器(2)上;
半導(dǎo)體激光器芯片組件(4),其設(shè)置在所述的熱沉(3)上,用于產(chǎn)生激光光源;
電路板(5),其連接在所述的半導(dǎo)體激光器芯片組件(4)與管腳(12)之間,用于實(shí)現(xiàn)電光轉(zhuǎn)換;
其特征在于:
所述的半導(dǎo)體激光芯片組件(4)為基于COS封裝的芯片組件,其包括散熱基板(41)和粘貼在散熱基板(41)上的激光芯片(42),所述的散熱基板(41)粘貼在所述的熱沉(3)上;所述的電路板(5)為表面金屬涂覆陶瓷電路板,且所述的電路板(5)與所述的半導(dǎo)體激光器芯片組件(4)之間通過連接銅片(6)相電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高熱負(fù)載大功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:所述的熱沉(3)呈“L”型,所述的半導(dǎo)體激光芯片組件(4)粘貼在所述熱沉(3)豎直方向的內(nèi)側(cè)面上,所述的電路板(5)固定在所述熱沉(3)的水平方向的內(nèi)表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高熱負(fù)載大功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:在所述的熱沉(3)上且位于所述的半導(dǎo)體激光芯片組件(4)兩側(cè)粘貼有引線端子(43),所述的連接銅片(6)兩端分別與所述的電路板(5)和引線端子(43)相接觸連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高熱負(fù)載大功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:所述的電路板(5)上安裝有用于監(jiān)控殼體(1)內(nèi)部溫度的熱敏電阻(7)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的高熱負(fù)載大功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:所述的電路板(5)上還安裝有用于監(jiān)控所述的半導(dǎo)體激光芯片組件(4)輸出光功率的光電探測器(8)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高熱負(fù)載大功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:所述的光電探測器(8)為具有監(jiān)測功能的光電二極管MPD。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高熱負(fù)載大功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:所述的殼體(1)包括殼座(12)和殼蓋(13),且所述的殼蓋(13)上開設(shè)有透光窗口(131),且透光窗口(131)上鍍有對輸出激光波長增透的光學(xué)膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高熱負(fù)載大功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:所述的半導(dǎo)體激光芯片組件(4)通過導(dǎo)熱銀膠或焊錫與所述的熱沉(3)相粘貼。
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