[發(fā)明專利]電極組件和使用該電極組件的二次電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210030595.6 | 申請日: | 2012-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN102637846A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 安昶范 | 申請(專利權(quán))人: | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01M4/02 | 分類號: | H01M4/02 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 李文穎;羅正云 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電極 組件 使用 二次 電池 | ||
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2011年2月11日在韓國專利局遞交的韓國專利申請第10-2011-0012378號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及一種用于二次電池的電極組件和使用該電極組件的二次電池。
背景技術(shù)
通常,電極組件典型地包括正極板、負極板和介于它們之間的隔板,二次電池通過將電極組件與電解質(zhì)一起容納在外殼中而制造。
通過卷繞正極板、負極板和介于它們之間的隔板形成的電極組件可在二次電池中使用。在卷繞圈數(shù)增加的情況下,電極組件的形狀可容易地改變。
發(fā)明內(nèi)容
實施例提供一種電極組件和使用該電極組件的二次電池,其中電極組件的形狀沒有改變,并且雖然卷繞的次數(shù)增加,但卷繞過程被容易地實行。
根據(jù)本發(fā)明一實施例,一種電極組件,包括:第一極板,包括涂覆有第一活性物質(zhì)的第一活性物質(zhì)部分和未涂覆有所述第一活性物質(zhì)的第一未涂覆部分;第二極板,包括涂覆有第二活性物質(zhì)的第二活性物質(zhì)部分和未涂覆有所述第二活性物質(zhì)的第二未涂覆部分;介于所述第一極板與所述第二極板之間的隔板;和分別聯(lián)接到所述第一未涂覆部分和所述第二未涂覆部分的第一電極接線片和第二電極接線片,其中所述第一未涂覆部分和所述第二未涂覆部分的部分彼此相對,所述第一電極接線片和所述第二電極接線片在所述極板中不彼此交迭,并且所述電極組件通過從所述第一未涂覆部分和所述第二未涂覆部分面向彼此的部分開始卷繞所述第一極板和所述第二極板而形成。
所述第一電極接線片和所述第二電極接線片可分別被聯(lián)接到所述電極組件的上部和下部。
所述第一電極接線片或所述第二電極接線片接觸所述第一未涂覆部分或所述第二未涂覆部分的部分可被倒角。
所述第一電極接線片或所述第二電極接線片具有與所述電極組件的最小卷繞寬度相等的寬度。
所述第一電極接線片或所述第二電極接線片可分別與所述第一未涂覆部分或所述第二未涂覆部分相對,并且所述第一電極接線片或所述第二電極接線片與所述第一未涂覆部分或所述第二未涂覆部分相對的部分的縱向長度分別在大約5mm至小于所述第一極板或所述第二極板的縱向長度的大約一半的范圍之內(nèi)。
所述第一未涂覆部分或所述第二未涂覆部分可分別包括形成在所述第一未涂覆部分或所述第二未涂覆部分的未聯(lián)接到所述第一電極接線片或所述第二電極接線片的部分處的切除部分。
所述切除部分具有小于所述第一極板或所述第二極板的縱向長度的大約一半的長度。
所述切除部分的角部可被倒角。
所述切除部分可不被包括在待卷繞的所述電極組件的彎曲部分中。
所述第一極板和所述第二極板可被提供為使得所述第一未涂覆部分和所述第二未涂覆部分的一部分彼此相對,所述第一極板和所述第二極板的另一個端部面向相反的方向。
所述第一極板可包括間斷地涂覆有所述第一活性物質(zhì)的一個或多個第一活性物質(zhì)部分并具有被提供在所述第一活性物質(zhì)部分之間的第一未涂覆部分,并且所述第一電極接線片聯(lián)接到所述第一未涂覆部分。
所述第一未涂覆部分和所述第二未涂覆部分的部分可分別在所述第一極板和所述第二極板的一個端部處,并可在所述電極組件的卷繞中心部分處彼此相對,其中所述第一極板和所述第二極板的第二端部面向相反的方向,并且其中所述第一極板和所述第二極板可相對于所述卷繞中心部分沿相反的方向卷繞。
所述第一極板和所述第二極板的第一端部被提供在所述卷繞中心部分處,并且所述第一極板和所述第二極板的第二端部面向相同的方向,并且所述第一極板和所述第二極板可相對于所述卷繞中心部分沿相同的方向卷繞。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星SDI株式會社,未經(jīng)三星SDI株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210030595.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種圍欄可展開的嬰幼兒床
- 下一篇:在硅波導上刻槽制備硅基混合激光器的方法





