[發明專利]納米晶體非易失性存儲器的擦寫參考點電壓設置方法

在審

• 申請號: 201210030461.4
• 申請日: 2012-02-10
• 公開（公告）號: CN102543188A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 許丹
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/14
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及一種存儲器的擦寫參考點電壓設置方法，具體的講是涉及一種納米晶體非易失性存儲器的擦寫參考點電壓設置方法。

背景技術

半導體存儲器的種類很多，其中納米晶體非易失性存儲器，可以對其存儲單元的數據進行多次擦除和寫入。存儲單元的數據是二進制代碼，即0或1代碼。在對納米晶體非易失性存儲器的存儲單元數據進行擦除和寫入時要設置一個參考點電壓，以實現存儲器存儲單元數據的擦除和寫入。半導體存儲器一般為低電平擦除，即低于參考點電壓為擦除電壓，高于參考點的電壓為寫入電壓。如圖1所示，現有技術的參考點電壓100是靜態的，即固定電壓。橫坐標C代表擦寫次數，縱坐標V代表擦寫電壓。參考點電壓100與擦除電壓200之間的區域為擦除區電壓，參考點電壓100與寫入電壓300之間的電壓為寫入區電壓。此種參考點電壓的設置方法，由于存儲器數據的擦除電壓和寫入電壓是根據擦寫次數而變化的，即擦寫次數越多，擦除和寫入的電壓越大。而擦寫次數越多，擦除電壓200與參考點電壓100越接近，從而使擦除區的電壓范圍變小，則半導體存儲器中的數據有一個1代碼未被擦除時，即使寫入區的電壓范圍再大，存儲器的存儲單元也無法寫入新數據。當擦除點電壓200越接近參考點電壓100時，使半導體存儲器的擦寫次數受到了很大的限制，因此，使納米晶體非易失性存儲器的使用壽命變短。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供了一種使用壽命較長的納米晶體非易失性存儲器的擦寫參考點設置方法。

為了解決上述技術問題，本發明的技術方案是：將參考點電壓設置為動態電壓，使其與擦除電壓同步變化。

進一步的，將參考點電壓設置為動態的，使其與擦除電壓同步等量變化。

進一步的，所述寫入電壓與擦除電壓同步等量變化。

本發明的有益效果是：參考點電壓是動態的，參考點電壓跟隨擦除電壓同步變化，則因擦除次數而使擦除電壓升高時，參考點電壓也升高，則本發明動態參考點的擦除區電壓范圍要大于參考點固定電壓的擦除區電壓范圍，因此，本發明納米晶體非易失性存儲器的擦寫參考點設置方法能使納米晶體非易失性存儲器的使用壽命更長。

當參考點電壓與擦除電壓同步等量變化時，半導體存儲器無論進行多少次擦寫，擦除電壓與參考點電壓的電壓范圍總是恒定不變的，因此，擦除電壓與參考點電壓的電壓范圍不會因為擦寫次數而改變，則半導體存儲器中的1代碼數據，就很容易的被擦除電壓擦除；采用動態參考點電壓后，由于現有技術中寫入電壓也是隨擦除電壓同步增加或者同步等量變化的，則寫入電壓與參考點電壓之間的電壓范圍也保持恒定，不會造成現有技術中寫入區的電壓范圍過大的問題，又由于擦除區的電壓范圍是恒定的，因此，半導體存儲器的數據擦除后可以寫入新數據。

由于參考點電壓跟隨擦除電壓同步等量變化，因此，擦除電壓永遠都不會接近參考點電壓，則半導體存儲器的數據擦寫電壓就不受擦寫次數的限制，因此，使納米晶體非易失性存儲器的使用壽命更長。

附圖說明

圖1是現有技術納米晶體非易失性存儲器的擦寫參考點設置方法示意圖；

圖2-3是本發明納米晶體非易失性存儲器的擦寫參考點設置方法示意圖。

圖中所示：1、參考點電壓，2、擦除電壓，3、寫入電壓，C、擦寫次數，V、擦寫電壓。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步詳細描述：

實施例1：

如圖2所示，本發明納米晶體非易失性存儲器的擦寫參考點電壓設置方法，將參考點電壓1設置為動態的，參考點電壓1跟隨擦除電壓2同步變化。其中，橫軸坐標C代表擦寫次數，縱軸坐標V代表擦寫電壓。

參考點電壓1是動態的，參考點電壓1跟隨擦除電壓2同步變化，則因擦除次數而使擦除電壓2升高時，參考點電壓1也升高，則本發明動態參考點的擦除區電壓范圍要大于參考點固定電壓的擦除區電壓范圍，因此，本發明納米晶體非易失性存儲器的擦寫參考點設置方法能使納米晶體非易失性存儲器的使用壽命更長。

實施例2：

如圖3所示，本實施例2是在實施例1的基礎上改進而成，其區別在于：，參考點電壓1跟隨擦除電壓2同步等量變化；寫入電壓3與擦除電壓2同步等量變化。