[發(fā)明專利]圖像傳感器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210030437.0
• 申請(qǐng)日: 2012-02-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102569429A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 饒金華;張克云;吳小利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/94
• 分類號(hào): H01L29/94;H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種圖像傳感器，其特征在于包括：光感元件、傳輸管、重置晶體管以及源跟隨晶體管；其中，在所述傳輸管和所述重置晶體管之間的浮置擴(kuò)散區(qū)層上布置了一個(gè)多晶硅層以形成MOS電容，所述MOS電容與浮置擴(kuò)散區(qū)PN結(jié)電容并聯(lián)；并且，在所述傳輸管和所述重置晶體管之間的浮置擴(kuò)散區(qū)層的體內(nèi)形成了一個(gè)二氧化硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述二氧化硅層是通過(guò)離子注入以及退火工藝形成的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述浮置擴(kuò)散區(qū)多晶硅層中間開(kāi)孔，并且金屬接觸填充了所述孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述光感元件是光電二極管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器是CMOS圖像傳感器。