[發明專利]圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 201210030435.1
• 申請日: 2012-02-10
• 公開（公告）號: CN102569322A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 吳小利;張克云;饒金華
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/374
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種圖像傳感器，其特征在于包括：光感元件、傳輸管、重置晶體管以及源跟隨晶體管；其中，在所述傳輸管和所述重置晶體管之間的浮置擴散區層上布置了一個多晶硅層以形成MOS電容，所述MOS電容與浮置擴散區PN結電容并聯。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述浮置擴散區多晶硅層中間開孔，并且金屬接觸填充了所述孔。

3.根據權利要求1或2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述光感元件是光電二極管。

4.根據權利要求1或2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器是CMOS圖像傳感器。

5.一種圖像傳感器制造方法，其特征在于包括：

在襯底上涂覆光致抗蝕劑；

利用光致抗蝕劑執行離子注入以形成浮置擴散區層；

去除光致抗蝕劑；

在硅片表面提供多晶硅層；以及

使多晶硅層形成圖案，從而形成浮置擴散區多晶硅層。

6.根據權利要求5所述的圖像傳感器制造方法，其特征在于還包括：形成柵極側墻，以及通過離子注入形成晶體管溝道區域。

7.根據權利要求6所述的圖像傳感器制造方法，其特征在于還包括：形成層間介質，并且形成接觸孔并用導電材料填充接觸孔。