[發明專利]半導體襯底聚酰亞胺工藝

無效

• 申請號: 201210030415.4
• 申請日: 2012-02-10
• 公開（公告）號: CN102543686A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 吳正泉;李鵬
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種半導體襯底聚酰亞胺工藝，其特征在于，包括：

對半導體襯底依次進行鈍化層刻蝕、第一干法去膠以及濕法去膠；

對所述半導體襯底進行第二干法去膠；

對所述半導體襯底進行聚酰亞胺光刻工藝。

2.如權利要求1所述的半導體襯底聚酰亞胺工藝，其特征在于，所述半導體襯底為硅片。

3.如權利要求1所述的半導體襯底聚酰亞胺工藝，其特征在于，所述第一干法去膠為等離子去膠法，去膠氣體為氧氣，去膠時間為150～300秒，去膠溫度為220～300攝氏度。

4.如權利要求1所述的半導體襯底聚酰亞胺工藝，其特征在于，所述濕法去膠為EKC濕法去膠。

5.如權利要求1所述的半導體襯底聚酰亞胺工藝，其特征在于，所述第二干法去膠為等離子去膠法，去膠氣體為氧氣，去膠時間為150～300秒，去膠溫度為220～300攝氏度。

6.如權利要求1所述的半導體襯底聚酰亞胺工藝，其特征在于，所述聚酰亞胺光刻工藝包括：

在所述半導體襯底上涂敷聚酰亞胺膜；

對涂敷后的半導體襯底依次進行前烘；

對前烘后的半導體襯底進行曝光；

對前烘后的半導體襯底進行顯影；

對顯影后的半導體襯底進行堅膜與熱固化。

7.如權利要求1所述的半導體襯底聚酰亞胺工藝，其特征在于，所述鈍化層為二氧化硅、氮化硅或氧化鋁。