[發明專利]一種杜仲良種嫁接苗的快速繁育方法有效
| 申請號: | 201210029936.8 | 申請日: | 2012-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN102550304A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 杜紅巖;李芳東;孫志強;杜蘭英;朱高浦;傅建敏;李福海;周道順;朱景樂;劉攀峰;張悅 | 申請(專利權)人: | 國家林業局泡桐研究開發中心 |
| 主分類號: | A01G1/06 | 分類號: | A01G1/06 |
| 代理公司: | 鄭州紅元帥專利代理事務所(普通合伙) 41117 | 代理人: | 楊妙琴 |
| 地址: | 450003 *** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 杜仲 良種 嫁接 快速 繁育 方法 | ||
1.一種杜仲良種嫁接苗的快速繁育方法,其特征在于:該方法包括以下步驟:
第一步、杜仲種子低溫處理:
將當年采集的杜仲種子在25℃~60℃清水中浸泡12~24小時,將杜仲種子撈出瀝干,以不滴水為標準,裝入麻袋,然后置0.1℃~7.2℃的冷庫中低溫處理10~25天;
第二步、溫水浸種:
將第一步中經過低溫處理后的杜仲種子從冷庫搬出,然后用50℃~75℃溫水,自然浸泡12~24小時,將水濾出后再用35℃~60℃溫水自然浸泡12~24小時,將種子撈出瀝干,以不滴水為標準,備用;
第三步、作床與播種:
育種前先將溫室或溫床土壤翻一遍,施肥,并進行土壤殺菌消毒,整平耙細,做成高床,然后在每年的12月1日~1月10日將第二步中處理好的杜仲種子進行播種;
第四步、日光溫室增溫:
播種后,采用日光溫室增溫,控制夜間棚內氣溫不低于2℃,整個生長季節白天棚內氣溫不超過40℃;
第五步、苗床幼苗期管理:
播種后根據床面濕度及時補充水分,待幼苗長出4片真葉時,對過密幼苗進行間苗移栽,在苗木移栽后,根據苗木的生長情況及時施肥和補水,促進苗木的生長;?
第六步、嫁接前準備:
當苗木高度達到50~70cm時進行摘心,促進苗木加粗生長,當苗木地徑達到0.6~0.8cm時進行嫁接,嫁接前一周苗圃地澆水一次;
第七步、進行良種嫁接:
采集杜仲良種未木質化或半木質化當年生枝條做接穗,進行嫁接;
第八步、進行剪砧促進接芽萌發:
嫁接后,及時進行剪砧,促進接芽萌發,當接芽萌發長度達到12~20cm時進行解綁;
第九步、秋季增溫延長苗木生長時間:
當秋季白天棚內最高氣溫低于20℃,或晚間最低氣溫低于10℃時,蓋膜升溫,棚內白天最高氣溫控制在25℃~35℃,晚間最低氣溫控制在15℃~20℃,當嫁接苗高達到80~100cm,地莖達到0.60~1.00cm時,逐步揭膜通風降溫,揭膜后10~25天內棚內氣溫逐步降至2℃~5℃,棚內與外界氣溫差不高于2℃。
2.根據權利要求1所述的一種杜仲良種嫁接苗的快速繁育方法,其特征在于:所述的第三步的作床與播種為育苗前先將溫室或溫床土壤翻一遍,每畝施磷酸二銨10~20?kg,用50~200?g多菌靈粉劑進行土壤殺菌消毒,整平耙細,做成高床:床面高10~15?cm,寬35~50?cm,步道20~30?cm,每個床面播種2行,行距20~30cm;每年的12月1日~1月10日播種,采用條播法:播幅5~8?cm,行距25~30?cm,開溝深度3~5?cm,開溝后先順溝澆底水,澆水量每米2~5kg,然后進行播種,播種量掌握每10?cm距離播種子5~7粒,每畝播種8~10?kg,播種后覆土2?cm左右。
3.根據權利要求1所述的一種杜仲良種嫁接苗的快速繁育方法,其特征在于:所述的第四步的日光溫室增溫為溫室采用塑鋼骨架拱形棚,拱形棚南北向,南北長60~100m,東西寬6~12m,頂高3.0~5.0m,兩側高1.5~2.0m,播種后在大棚內再覆蓋2層厚0.02~0.08mm的塑料薄膜,薄膜到頂棚距離分別約20cm、40cm,然后在苗床覆蓋高30cm左右的小拱棚,小拱棚用塑料薄膜厚度0.02~0.05mm。
4.根據權利要求1所述的一種杜仲良種嫁接苗的快速繁育方法,其特征在于:所述的第七步中的杜仲良種為華仲6號杜仲(Eucommia?ulmoides‘Huazhong?No?6’)。
5.根據權利要求1所述的一種杜仲良種嫁接苗的快速繁育方法,其特征在于:所述的第七步中的嫁接方法是帶木質嵌芽接:接芽長2.0~4.0cm,其中芽上1.5~2.5cm,芽下0.5~1.5cm;砧木嫁接高度離地面10~20cm,砧木切削位置以下留1~3片葉,砧木和接穗形成層對好,然后用厚0.02~0.04mm的塑料薄膜進行包扎,接芽裸露。
6.根據權利要求1所述的一種杜仲良種嫁接苗的快速繁育方法,其特征在于:所述的第八步中的剪砧為嫁接后7~10天,在接芽以上5~10cm處留1~3片葉片進行剪砧,促進接芽萌發;接芽萌發長度達到5~10cm時,在距離嫁接芽片上緣0.5~1.5cm處再進行第二次剪砧。
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