[發明專利]納米等離子體改性含氟高耐候太陽電池背膜及其生產工藝有效
| 申請號: | 201210029312.6 | 申請日: | 2012-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN102569464A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 黃新東;司瓊;丁玲;劉天人 | 申請(專利權)人: | 無錫中潔能源技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;B32B27/08;B32B27/36;B32B27/32;B32B27/06;B32B7/12;H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 等離子體 改性 含氟高耐候 太陽電池 及其 生產工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種太陽電池背膜,尤其是一種納米等離子體改性含氟高耐候太陽電池背膜及其生產工藝。
背景技術
目前國內晶硅太陽電池組件封裝用背膜主要有復膜型(耐候層材料等與基材通過膠水粘合而成)和涂覆型(在基材上直接涂覆一層含氟涂層)兩類,目前主要以復膜型背膜為主,而復膜型背膜目前最主要的問題是耐候層材料等與基材之間的粘結力(層間剝離強度)不能持久保持在一個比較高的水平(如:7N/cm),而出現層間分層玻璃的現象。
發明內容
本發明的目的是克服現有技術中存在的不足,提供一種納米等離子體改性含氟高耐候太陽電池背膜及其生產工藝,該背膜在長時間氣候環境下能保持良好的層間粘結力,確保了背膜內部材料之間的不分層,從而保證了背膜的長期使用性能。
按照本發明提供的技術方案,一種納米等離子體改性含氟高耐候太陽電池背膜,包括PET基材,特征是:在所述PET基材的外側面設置有含氟涂層或含氟聚合物薄膜,在PET基材的內側面設置聚烯烴層,在PET基材和含氟涂層之間為接枝層;所述接枝層和PET基材之間由第一粘結層連接,所述PET基材和聚烯烴層之間由第二粘結層連接。
所述含氟聚合物薄膜或含氟涂層的厚度為10~50μm。
所述接枝層的厚度為1~5μm。
所述PET基材的厚度為100~300μm。
所述聚烯烴層的厚度為20~150μm。
所述第一粘結層和第二粘結層的厚度為5~15μm。
本發明還保護一種納米等離子體改性含氟高耐候太陽電池背膜的生產工藝,特征是,包括以下工藝步驟:
(1)將含氟聚合物薄膜或含氟涂層的內側面在等離子處理機中處理0.1~2秒,在含氟聚合物薄膜或含氟涂層的內側面形成接枝層;在等離子處理機的氣體發生腔體內盛放含氟硅烷偶聯劑,工作氣體為氬氣或氦氣,工作氣體的濃度為99~99.99%,放電頻率為50~5000Hz;
(2)將PET基材的一面與含氟聚合物薄膜或含氟涂層的內側面通過粘結材料進行復合,復合壓力為3~10Kgf,在40~60℃進行1~3天初步固化后,再在PET基材的另一面通過粘結材料與聚烯烴材料進行復合,復合壓力為3~10Kgf,再在40~60℃進行3~10天的熟化。
所述粘結材料為雙組份聚胺酯膠。
所述含氟聚合物薄膜為單氟聚乙烯(PVF)、偏二氟聚乙烯(PVDF)或乙烯四氟乙烯聚合物(ETFE)。
所述含氟涂層為氟烯烴-乙烯基醚共聚物(FEVE)樹脂為主體樹脂的含氟涂料。
所述聚烯烴材料為線性低密度聚乙烯或非線性聚乙烯膠膜。
本發明的優點:采用納米親水氟化等離子體處理技術,徹底解決了傳統復合型背膜的層間剝離強度偏低的弱點,具有高耐濕熱環境下持久的卓越優良的層間剝離強度。
附圖說明
????圖1為本發明的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合具體附圖對本發明作進一步說明。
如圖所示:本發明所述的納米等離子體改性含氟高耐候太陽電池背膜包括PET基材4,在所述PET基材4的外側面設置有含氟涂層或含氟聚合物薄膜1,在PET基材4的內側面設置聚烯烴層6,在PET基材4和含氟涂層或含氟聚合物薄膜1之間為接枝層2;所述接枝層2和PET基材4之間由第一粘結層3連接,所述PET基材4和聚烯烴層6之間由第二粘結層5連接;所述含氟聚合物薄膜或含氟涂層1的厚度為10~50μm,所述接枝層2的厚度為1~5μm;所述PET基材4的厚度為100~300μm;所述聚烯烴層6的厚度為20~150μm;所述第一粘結層3和第二粘結層5的厚度為5~15μm。
本發明所述的第一粘結層和第二粘結層由粘結材料構成,所述粘結材料可以起粘合含氟聚合物薄膜或含氟涂層與PET基材的作用;本發明所使用的粘結材料沒有具體限制,只要不對本發明的發明目的產生限制即可,例如本發明實施例所采用的雙組份聚胺酯膠。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





