[發明專利]一種3D顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210028990.0
• 申請日: 2012-02-09
• 公開（公告）號: CN102629041A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 武延兵
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1335;G02B27/22;G02B5/18;H04N13/04
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種3D液晶顯示裝置，包括：光柵層、對盒成型的TFT陣列基板和彩膜基板，其中所述光柵層包括視差擋板或透鏡光柵，所述彩膜基板包括透明基板和彩膜，所述TFT陣列基板和所述彩膜基板之間填充有液晶，所述TFT陣列基板包括由橫縱交叉的柵線和數據線劃分出的多個像素單元，每個像素單元包括像素電極和TFT電路，其特征在于，

每個像素單元的像素電極包括相互間隔的至少兩個左視場像素電極和至少兩個右視場像素電極；

每個像素單元的TFT電路包括與所述左視場像素電極連接的第一子TFT電路和與所述右視場像素電極連接的第二子TFT電路。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，在每個像素單元中，所有的所述左視場像素電極構成第一梳狀結構，所有的所述右場像素電極構成第二梳狀結構，所述第一梳狀結構與所述第二梳狀結構相互交叉設置。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述左視場像素電極、右視場像素電極的寬度為1-20μm。

4.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一子TFT電路的柵極和所述第二子TFT電路的柵極與同一條柵線連接；所述第一子TFT電路的源極和所述第二子TFT電路的源極分別與一個像素單元兩端的數據線連接；所述第一子TFT電路的漏極與所述左視場像素電極連接，所述第二子TFT電路的漏極與所述右視場像素電極連接。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

當所述光柵層為視差擋板時，所述視差擋板位于所述彩膜的上方或下方，且與所述彩膜的距離為1-100μm；

當所述光柵層為透鏡光柵時，所述透鏡光柵位于所述透明基板的上方。

6.根據權利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，當所述光柵層為視差擋板，且所述視差擋板位于所述彩膜的上方時，所述視差擋板與所述彩膜之間設有厚度為1-100μm的透明層。

7.根據權利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，所述透鏡光柵包括液晶透鏡或柱透鏡光柵。

8.根據權利要求1-7任一所述的顯示裝置，其特征在于，所述光柵層的中心線與所述顯示裝置的顯示區域的中心線重合。

9.一種3D-OLED顯示裝置，包括：光柵層、TFT陣列基板和封裝層，其中所述光柵層包括視差擋板或透鏡光柵，所述TFT陣列基板包括由橫縱交叉的柵線和數據線劃分出的多個像素單元，每個像素單元包括電致發光EL層和控制電路，所述EL層包括金屬陰極、像素電極和位于所述金屬陰極和像素電極之間的有機發光材料，其特征在于，

每個像素單元的像素電極包括相互間隔的至少兩個左視場像素電極和至少兩個右視場像素電極；

每個像素單元的控制電路包括與所述左視場像素電極連接的第一子控制電路和與所述右視場像素電極連接的第二子控制電路。

10.根據權利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，在每個像素單元中，所有的所述左視場像素電極構成第一梳狀結構，所有的所述右場像素電極構成第二梳狀結構，所述第一梳狀結構與所述第二梳狀結構相互交叉設置。

11.根據權利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述左視場像素電極、右視場像素電極的寬度為1-20μm。

12.根據權利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一子控制電路開關管的柵極和所述第二子控制電路開關管的柵極與同一條柵線連接；所述第一子控制電路驅動管開關管的源極和所述第二子控制電路驅動管開關管的源極分別與一個像素單元兩端的數據線連接；所述第一子控制電路驅動管的漏極與所述左視場像素電極連接，所述第二子控制電路驅動管的漏極與所述右視場像素電極連接。

13.根據權利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，

當所述光柵層為視差擋板時，所述視差擋板位于所述封裝層的上方或下方，且與所述EL層的距離為1-100μm；

當所述光柵層為透鏡光柵時，所述透鏡光柵位于所述封裝層的上方。

14.根據權利要求13所述的顯示裝置，其特征在于，當所述視差擋板位于所述封裝層的下方時，所述視差擋板與所述像素電極之間設有厚度為1-100μm的透明層。

15.根據權利要求13所述的顯示裝置，其特征在于，所述透鏡光柵包括液晶透鏡或柱透鏡光柵。