[發(fā)明專利]成膜裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210028975.6 | 申請日: | 2012-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN102634773A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 兩角友一朗;佐藤泉;淺利伸二 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 | ||
1.一種成膜裝置,其通過將分層保持有多張基板的基板保持器送入到在周圍配置有加熱部的立式的反應(yīng)管內(nèi)而對基板進(jìn)行成膜處理,其特征在于,
該成膜裝置包括:
第1氣體噴射器,其針對各基板之間的高度位置分別形成有用于向基板供給第1處理氣體的多個(gè)氣體噴射口;
第2氣體噴射器,為了向基板供給與第1處理氣體反應(yīng)的第2處理氣體,該第2氣體噴射器在上述反應(yīng)管的周向上與上述第1氣體噴射器分開地設(shè)置,該第2氣體噴射器沿著上述反應(yīng)管的長度方向延伸且在靠基板側(cè)形成有氣體噴射口;
第3氣體噴射器,其在上述反應(yīng)管的周向上與上述第1氣體噴射器分開的位置以沿著上述反應(yīng)管的長度方向延伸的方式設(shè)置,該第3氣體噴射器從被保持在上述基板保持器中的基板的保持區(qū)域的上端一直到下端地形成有吹掃氣體供給用的狹縫;
排氣口,其隔著上述保持區(qū)域形成在與上述第1氣體噴射器相反一側(cè),用于排出上述反應(yīng)管內(nèi)的氣氛氣體;
控制部,其用于輸出控制信號,以便向上述反應(yīng)管內(nèi)依次供給第1處理氣體及第2處理氣體,并且在切換這些處理氣體時(shí)向上述反應(yīng)管內(nèi)供給吹掃氣體而置換該反應(yīng)管內(nèi)的氣氛氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
在將基板的保持張數(shù)設(shè)為N時(shí),在切換處理氣體時(shí)從上述第3氣體噴射器供給的吹掃氣體的總流量為0.05×N升/分~2.0×N升/分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
上述第3氣體噴射器兼作上述第2氣體噴射器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
上述狹縫在上述第3氣體噴射器的長度方向上被劃分成多個(gè),分割而成的狹縫被設(shè)定成比從第k層基板的下表面到第k+2層基板的上表面的高度尺寸長,其中,k為整數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
上述狹縫在上述第3氣體噴射器的長度方向被劃分成多個(gè),分割而成的狹縫的長度尺寸被設(shè)定成從上述第3氣體噴射器的上方側(cè)及下方側(cè)中的一側(cè)朝向另一側(cè)漸漸地變長。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





