[發(fā)明專利]第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210028827.4 | 申請日： | 2012-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN102637795A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 中村亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 豐田合成株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡勝有;吳鵬章 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | iii 氮化物 半導(dǎo)體 發(fā)光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括依次沉積的n型層、發(fā)光層和p型層，所述n型層具有凹坑，其中所述凹坑的直徑在所述發(fā)光層與所述n型層之間的界面處為110nm至150nm；所述發(fā)光層具有MQW結(jié)構(gòu)，在所述MQW結(jié)構(gòu)中AlGaN勢壘層和InGaN阱層交替地沉積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述勢壘層相對于AlGa具有3摩爾％至7摩爾％的Al組成比。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述n型層具有如下結(jié)構(gòu)：在所述結(jié)構(gòu)中沉積n型接觸層、ESD層和n型包覆層；在所述ESD層中并由所述ESD層形成所述凹坑；以及形成所述n型包覆層和所述發(fā)光層但不掩埋所述凹坑。
4.一種用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，所述第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括依次沉積的n型層、發(fā)光層和p型層，所述n型層具有凹坑，所述方法包括：
在850℃至920℃的生長溫度下形成所述凹坑；
通過交替地沉積AlGaN勢壘層和InGaN阱層來形成所述發(fā)光層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中所述勢壘層形成為相對于AlGa具有3摩爾％至7摩爾％的Al組成比。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中所述n型層具有如下結(jié)構(gòu)：在所述結(jié)構(gòu)中沉積n型接觸層、ESD層和n型包覆層；在所述ESD層中并由所述ESD層形成所述凹坑；以及形成所述n型包覆層和所述發(fā)光層但不掩埋所述凹坑。
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