[發(fā)明專利]多層陶瓷電子元件及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210028553.9 | 申請日： | 2012-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN102637527A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孫圣范;權(quán)祥勛;洪旻熙;金輝榮;許康憲 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電機株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/30 | 分類號： | H01G4/30;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人： | 王浩然;王鳳桐 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多層 陶瓷 電子元件 及其 制備 方法 | ||
1.多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：
活性層，其中由含有平均顆粒尺寸為100-300nm的陶瓷粉的電介質(zhì)組合物形成的電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層交替堆疊；
形成于所述活性層頂面和底面中的至少一面上且由含有與所述活性層的陶瓷粉相同的陶瓷粉的電介質(zhì)組合物形成的覆蓋層，所述陶瓷粉的平均顆粒尺寸為50-250nm；
以及與內(nèi)部電極層電連接的外部電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，形成所述覆蓋層的所述陶瓷粉的平均顆粒尺寸比形成所述活性層的所述陶瓷粉的平均顆粒尺寸小50-100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述陶瓷粉為選自由鈦酸鋇基材料、鉛復合鈣鈦礦基材料和鈦酸鍶基材料組成的組中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述覆蓋層比所述活性層的所述電介質(zhì)層厚3-10倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述電介質(zhì)層具有0.5-1.5μm的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述電介質(zhì)組合物進一步含有氧化鎂、稀土氧化物、氧化錳和硼硅酸鹽基玻璃。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述稀土氧化物為選自由氧化釔、氧化鈥、氧化鏑和氧化鐿組成的組中的至少一種。
8.多層陶瓷電子元件的制備方法，該方法包括：
制備活性層，其中，交替堆疊由含有平均顆粒尺寸為100-300nm的陶瓷粉的電介質(zhì)組合物形成的電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層；
制備由含有與所述活性層的陶瓷粉相同的陶瓷粉的電介質(zhì)組合物形成的覆蓋層，所述陶瓷粉的平均顆粒尺寸為50-250nm；
通過在所述活性層頂面和底面中的至少一面上堆疊所述覆蓋層而形成薄片制品；
通過切削所述薄片制品制備綠色芯片；以及
通過燒制所述綠色芯片制備陶瓷燒結(jié)體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成所述覆蓋層的所述陶瓷粉的平均顆粒尺寸比形成所述活性層的所述陶瓷粉的平均顆粒尺寸小50-100nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述陶瓷粉為選自由鈦酸鋇基材料、鉛復合鈣鈦礦基材料和鈦酸鍶基材料組成的組中的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述覆蓋層比所述活性層的所述電介質(zhì)層厚3-10倍。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述電介質(zhì)層具有0.5-1.5μm的厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述電介質(zhì)組合物進一步含有氧化鎂、稀土氧化物、氧化錳和硼硅酸鹽基玻璃。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述稀土氧化物為選自由氧化釔、氧化鈥、氧化鏑和氧化鐿組成的組中的至少一種。
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