[發(fā)明專利]選擇性蝕刻和二氟化氙的形成

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210028545.4
• 申請(qǐng)日: 2010-01-27
• 公開（公告）號(hào): CN102592994A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳定軍;E·J·小卡瓦基;A·馬利卡朱南;A·D·約翰遜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司
• 主分類號(hào): H01L21/3213
• 分類號(hào): H01L21/3213;C23C16/44;C23F1/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 艾尼瓦爾

1.在腔室中形成二氟化氙的工藝，包含：

向所述腔室提供Xe氣體；

向所述腔室提供選自NF₃、C₂F₆、CF₄、C₃F₈、SF₆、從上游等離子體發(fā)生器產(chǎn)生的含F(xiàn)原子的等離子體和它們的混合物的含氟化學(xué)品；和

通過在所述腔室中使氙與所述含氟化學(xué)品反應(yīng)而形成二氟化氙。

2.權(quán)利要求1的工藝，其中，所述含氟化學(xué)品是從上游等離子體發(fā)生器產(chǎn)生的含F(xiàn)原子的等離子體。

3.權(quán)利要求1的工藝，其中Xe相對(duì)于含氟化學(xué)品的摩爾比為1∶10至10∶1。

4.權(quán)利要求1的工藝，其中，所述腔室含有等離子體發(fā)生器。

5.權(quán)利要求4的工藝，其中，所述等離子體發(fā)生器是遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器。

6.權(quán)利要求1的工藝，其中，所述腔室中的溫度為環(huán)境溫度至500℃。

7.權(quán)利要求1的工藝，其中，所述腔室中的壓力為0.1至10托。