[發(fā)明專利]用于輸入電力保護的非線性電力管理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210028543.5 | 申請日： | 2012-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN102684177B | 公開（公告）日： | 2017-05-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 安德里安·米科萊伊恰克 | 申請（專利權(quán)）人： | 飛兆半導體公司 |
| 主分類號： | H02H9/00 | 分類號： | H02H9/00;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11287 | 代理人： | 劉國偉 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 輸入 電力 保護 非線性 管理 裝置 | ||
1.一種電力保護設(shè)備，其包含：
非線性電力管理裝置，其具有經(jīng)配置以耦合到輸出分流裝置的輸出端子，所述輸出分流裝置經(jīng)配置以響應于跨越所述輸出分流裝置的電壓超過所述輸出分流裝置的觸發(fā)電壓而分流能量，所述非線性電力管理裝置經(jīng)配置以響應于與穿過所述非線性電力管理裝置的能量脈沖相關(guān)聯(lián)的第一電流而改變?yōu)轱柡湍Ｊ剑龇蔷€性電力管理裝置具有直接連接到所述輸出端子的柵極；及
輸入分流裝置，其耦合到所述非線性電力管理裝置的輸入端子且具有高于所述輸出分流裝置的所述觸發(fā)電壓的觸發(fā)電壓，所述輸入分流裝置經(jīng)配置以響應于跨越所述非線性電力管理裝置的電壓降而分流與所述能量脈沖相關(guān)聯(lián)的第二電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述非線性電力管理裝置經(jīng)配置以從線性模式改變?yōu)樗鲲柡湍Ｊ剑龇蔷€性電力管理裝置在處于所述線性模式時具有不同于所述非線性電力管理裝置在處于所述飽和模式時的電流-電壓特性的電流-電壓特性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述非線性電力管理裝置經(jīng)配置以在所述非線性電力管理裝置處于所述飽和模式時致使跨越所述輸入分流裝置的電壓超過所述輸入分流裝置的所述觸發(fā)電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述輸入分流裝置經(jīng)配置以分流所述第二電流且將跨越所述非線性電力管理裝置的所述電壓箝位成低于所述非線性電力管理裝置的觸發(fā)電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中跨越所述輸入分流裝置的電壓響應于所述非線性電力管理裝置而增加到大于所述輸出分流裝置的所述觸發(fā)電壓的電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述輸入分流裝置具有跨越所述輸入分流裝置的電壓，所述電壓實質(zhì)上被限制到所述輸出分流裝置的所述觸發(fā)電壓直到所述非線性電力管理裝置改變?yōu)樗鲲柡湍Ｊ健?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述輸入分流裝置為第一輸入分流裝置，
所述設(shè)備進一步包含：
第二輸入分流裝置，其并聯(lián)耦合到所述第一輸入分流裝置且具有高于所述第一輸入分流裝置的所述觸發(fā)電壓的觸發(fā)電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中與所述能量脈沖相關(guān)聯(lián)的所述第二電流小于與所述能量脈沖相關(guān)聯(lián)的所述第一電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述能量脈沖包括靜電放電事件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述能量脈沖包括電感能量瞬變。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述非線性電力管理裝置與所述輸入分流裝置共同提供下游過電壓及過電流保護。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述非線性電力管理裝置與所述輸入分流裝置集成為單個離散組件。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述非線性電力管理裝置包括串聯(lián)耦合于所述輸入分流裝置與所述輸出分流裝置之間的飽和晶體管結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述非線性電力管理裝置包括砷化鎵半導體。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述非線性電力管理裝置包括飽和半導體材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述非線性電力管理裝置包括包括導電聚合物的飽和材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其中所述非線性電力管理裝置為第一非線性電力管理裝置，
所述設(shè)備進一步包含：
第二非線性電力管理裝置，其經(jīng)由所述輸入分流裝置并聯(lián)耦合到所述第一非線性電力管理裝置。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其進一步包含：
電抗組件，其與所述非線性電力管理裝置串聯(lián)耦合且經(jīng)配置以補償與所述輸入分流裝置或所述輸出分流裝置中的至少一者相關(guān)聯(lián)的去諧電容。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力保護設(shè)備，其進一步包含：
電抗組件，其與所述非線性電力管理裝置串聯(lián)耦合，所述電抗組件與所述非線性電力管理裝置或所述輸入分流裝置中的至少一者一起集成為單個離散組件。
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