[發明專利]一種ZnO納米線陣列的摻雜方法

無效

• 申請號: 201210028435.8
• 申請日: 2012-02-09
• 公開（公告）號: CN102593282A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 丁建寧;王秀琴;袁寧一;劉躍斌;譚成邦
• 申請（專利權）人: 常州大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;B81C1/00
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種ZnO納米線陣列的摻雜方法，包括利用水熱法生長ZnO納米線陣列的步驟，對ZnO納米線陣列進行B摻雜的步驟，制備金屬電極的步驟，測定ZnO納米線伏安特性的步驟，其特征在于：對ZnO納米線陣列進行B摻雜的步驟指利用B₂H₆等離子體對ZnO納米線進行B摻雜，工作氣體為B₂H₆，射頻功率在30-60W，壓強70-100Pa，加熱溫度為300℃，時間為5-20min。

2.如權利要求1所述的一種ZnO納米線陣列的摻雜方法，其特征在于：所述的利用水熱法生長ZnO納米線陣列的步驟為：采用原子層沉積（ALD）或是旋涂法制備ZnO籽晶，采用透明導電膜、硅片或是金屬電極為襯底，采用硝酸鋅和六甲基四胺的混合液作為制備納米線的溶液，生長溫度為70-90℃，時間為4-6小時。

3.如權利要求1所述的一種ZnO納米線陣列的摻雜方法，其特征在于：所述的制備金屬電極的步驟為：采用磁控濺射或蒸發方法制備鋁電極，厚度在100nm。

4.如權利要求2所述的一種ZnO納米線陣列的摻雜方法，其特征在于：旋涂法制備ZnO籽晶的步驟為：以乙二醇甲基醚為溶劑、醋酸鋅為溶質、乙醇胺為穩定劑配制醋酸鋅溶液，其中醋酸鋅的濃度為0.4?mol/L，乙醇胺的濃度為0.4?mol/L；旋涂一層后，100℃烘干，重復5次后，400℃退火30?min。