[發明專利]半導體結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201210028258.3
• 申請日: 2012-02-09
• 公開（公告）號: CN102543948A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 李德章;陳紀翰;陳建樺;周澤川;楊秉豐;施旭強
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種半導體結構，包括：

一基板；以及

一電容結構，包括：

一第一導電層，形成于該基板上；

一第二導電層，具有一側面；及

一介電層，形成于該第一導電層與該第二導電層之間，且具有一側面，該介電層的該側面與該第二導電層的該側面間隔一距離。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第二導電層的一分布面積小于該介電層的一分布面積，且整個該第二導電層重迭于該介電層。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其中該介電層的該分布面積與該第二導電層的該分布面積的比值介于0.1至0.99之間。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第一導電層的一側面與該介電層的該側面實質上對齊。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其中該介電層的材質選自于鉭、鈦及其組合所構成的群組。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其中該介電層具有一開孔，該開孔露出該第一導電層，該電容結構更包括：

一圖案化線路層，經由該開孔連接于該第一導電層。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第一導電層的一側面與該介電層的該側面間隔一距離，以露出該第一導電層的一邊緣，該電容結構更包括：

一圖案化線路層，連接于該第一導電層的該邊緣。

8.一種半導體結構的制造方法，包括：

形成一第一金屬材料于一基板上；

形成一介電材料于該第一導電材料上；

形成一第二金屬材料于該介電材料上；

圖案化該第二金屬材料，以形成一第二導電層；

圖案化該介電材料，以形成一介電層；以及

圖案化該第一導電材料，以形成一第一導電層；

其中，該第一導電層、該介電層與該第二導電層構成一電容結構，該介電層的一側面與該第二導電層的一側面間隔一距離。

9.如權利要求8所述的制造方法，其中于圖案化該介電材料的該步驟包括：

形成一第一光阻層覆蓋整個該第二導電層；及

以該第一光阻層為遮罩，移除該介電材料的一部分，以形成該介電層；于圖案化該第一導電材料的該步驟包括：

以該第一光阻層為遮罩，移除該第一導電材料的一部分，以形成該第一導電層。

10.如權利要求8所述的制造方法，其中于圖案化該介電材料的該步驟包括：

形成一第一光阻層覆蓋整個該第二導電層；

以該第一光阻層為遮罩，移除該介電材料的一部分，以形成該介電層，其中該介電材料的該部分未被該第一光阻層覆蓋；及

移除該第一光阻層；

于圖案化該第一導電材料的該步驟包括：

形成一第二光阻層覆蓋整個該介電層及整個該第二導電層，其中該第二光阻層的寬度大于該第一光阻層的寬度；

以該第二光阻層為遮罩，移除該第一導電材料的一部分，以形成該第一導電層。