[發(fā)明專利]發(fā)光元件、發(fā)光器件和電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210028237.1 | 申請日： | 2006-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN102569662A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 川上貴洋;青山智哉;坂田淳一郎;池田壽雄;瀨尾哲史;巖城裕司 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孔青;郭文潔 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 元件 器件 電子設(shè)備 | ||
1.一種發(fā)光器件，包括
第一電極；
第一電極上的第一發(fā)光層；
第一發(fā)光層上的層；
所述層上的第二發(fā)光層；和
第二發(fā)光層上的第二電極；
其中該層包括含有至少一個乙烯基骨架的芳香烴并包括金屬氧化物。
2.一種發(fā)光器件，包括
第一電極；
第一電極上的第一發(fā)光層；
第一發(fā)光層上的電子發(fā)生層；
電子發(fā)生層上的并與其接觸的層；
所述層上的第二發(fā)光層；和
第二發(fā)光層上的第二電極，
其中該層包括含有至少一個乙烯基骨架的芳香烴并包括金屬氧化物。
3.一種發(fā)光器件，包括
第一電極；
第一電極上的并與其接觸的第一層；
第一層上的第一發(fā)光層；
第一發(fā)光層上的第二層；
第二層上的第二發(fā)光層；
第二發(fā)光層上的第三層；和
第三層上的并與其接觸的第二電極，
其中所述第一層、第二層和第三層的每一個包括含有至少一個乙烯基骨架的芳香烴并包括金屬氧化物。
4.一種發(fā)光器件，包括
第一電極；
第一電極上的并與其接觸的第一層；
第一層上的第一發(fā)光層；
第一發(fā)光層上的第一電子發(fā)生層；
第一電子發(fā)生層上的并與其接觸的第二層；
第二層上的第二發(fā)光層；
第二發(fā)光層上的第二電子發(fā)生層；
第二電子發(fā)生層上的并與其接觸的第三層；和
第三層上的并與其接觸的第二電極，
其中所述第一層、第二層和第三層的每一個包括含有至少一個乙烯基骨架的芳香烴并包括金屬氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項的發(fā)光器件，其中金屬氧化物為選自氧化鉬、氧化釩、氧化釕和氧化錸中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項的發(fā)光器件，其中具有至少一個乙烯基骨架的芳香烴具有1×10-6cm2/Vs或更高的空穴遷移率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項的發(fā)光器件，其中具有至少一個乙烯基骨架的芳香烴由以下結(jié)構(gòu)式(1)表示：
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項的發(fā)光器件，其中具有至少一個乙烯基骨架的芳香烴由以下結(jié)構(gòu)式(2)表示：
9.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項的發(fā)光器件，其中具有至少一個乙烯基骨架的芳香烴由以下結(jié)構(gòu)式(3)表示：
10.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項的發(fā)光器件，其中具有至少一個乙烯基骨架的芳香烴由以下結(jié)構(gòu)式(4)表示：
11.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項的發(fā)光器件，其中具有至少一個乙烯基骨架的芳香烴由以下結(jié)構(gòu)式(5)表示：
12.根據(jù)權(quán)利要求2的發(fā)光器件，其中電子發(fā)生層包括選自電子傳輸物質(zhì)和雙極性物質(zhì)的物質(zhì)，并包括選自堿金屬、堿土金屬、堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物、堿金屬氟化物和堿土金屬氟化物的物質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求4的發(fā)光器件，其中第一電子發(fā)生層和第二電子發(fā)生層的每一個包括選自電子傳輸物質(zhì)和雙極性物質(zhì)的物質(zhì)，并包括選自堿金屬、堿土金屬、堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物、堿金屬氟化物和堿土金屬氟化物的物質(zhì)。
14.一種顯示模塊，包括
第一電極；
第一電極上的第一發(fā)光層；
第一發(fā)光層上的層；
所述層上的第二發(fā)光層；和
第二發(fā)光層上的第二電極；
其中該層包括含有至少一個乙烯基骨架的芳香烴并包括金屬氧化物。
15.一種顯示模塊，包括
第一電極；
第一電極上的第一發(fā)光層；
第一發(fā)光層上的電子發(fā)生層；
電子發(fā)生層上的并與其接觸的層；
所述層上的第二發(fā)光層；和
第二發(fā)光層上的第二電極，
其中該層包括含有至少一個乙烯基骨架的芳香烴并包括金屬氧化物。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
