[發明專利]短的和低的回路絲線鍵合

有效

• 申請號: 201210028228.2
• 申請日: 2012-02-09
• 公開（公告）號: CN102738103A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 劉兆合;劉卉林
• 申請（專利權）人: 嘉盛馬來西亞公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種多管芯封裝，包括：

管芯焊墊；

布置于所述管芯焊墊上的第一半導體管芯，所述第一半導體管芯包括其上具有第一多個鍵合焊墊的上表面；

布置于所述管芯焊墊上的第二半導體管芯，所述第二半導體管芯包括其上具有第二多個鍵合焊墊的上表面，所述第二半導體管芯的所述上表面與所述第一半導體管芯的所述上表面基本上共同延伸并且基本上沿平面延伸；以及

多個鍵合絲線，每個所述鍵合絲線將所述第一半導體管芯的所述上表面上的所述第一多個鍵合焊墊中的一個鍵合焊墊耦接至所述第二半導體管芯的所述上表面上的所述第二多個鍵合焊墊中的對應的一個鍵合焊墊，所述多個鍵合絲線中的鍵合絲線具有布置于所述平面上方的一高度處的扭折，所述鍵合絲線具有布置于所述第一半導體管芯與所述扭折之間的第一凸點，以及布置于所述第二半導體管芯與所述扭折之間的第二凸點，所述第一凸點的第一高度和所述第二凸點的第二高度中的每一個大于在所述平面上方的所述扭折的所述高度。

2.根據權利要求1所述的多管芯封裝，其中在所述平面上方的所述鍵合絲線的最大高度位于所述第一凸點處并且不大于約55μm。

3.根據權利要求1所述的多管芯封裝，其中在所述平面上方的所述鍵合絲線的最大高度位于所述第二凸點處并且不大于約55μm。

4.根據權利要求1所述的多管芯封裝，其中所述管芯焊墊包括第一管芯焊墊和第二管芯焊墊，所述第一管芯焊墊與所述第二管芯焊墊橫向間隔開，所述第一半導體管芯布置于所述第一管芯焊墊上，并且所述第二半導體管芯布置于所述第二管芯焊墊上。

5.根據權利要求1所述的多管芯封裝，其中所述鍵合絲線的第一末端使用楔形鍵來與布置在所述第一半導體管芯的所述上表面上的鍵合焊墊上的第一球鍵進行鍵合。

6.根據權利要求5所述的多管芯封裝，其中所述鍵合絲線的第二末端使用第二球鍵來與在所述第二半導體管芯的所述上表面上的鍵合焊墊鍵合。

7.一種半導體封裝，包括：

布置于第一上表面上的第一鍵合焊墊；

布置于第二上表面上的第二鍵合焊墊，所述第一上表面與所述第二上表面橫向間隔開并且與所述第二上表面基本上共同延伸；以及

具有第一末端和第二末端的鍵合絲線，所述鍵合絲線的所述第一末端與所述第一鍵合焊墊耦接，并且所述鍵合絲線的所述第二末端與所述第二鍵合焊墊耦接，所述鍵合絲線包括：

從所述第二鍵合焊墊向上延伸到第一凸點的第一長度；

與所述第一長度耦接于所述第一凸點的第二長度，所述第二長度從所述第一凸點向下延伸到扭折，所述扭折被布置于所述第一上表面和所述第二上表面上方的一高度處；

與所述第二長度耦接于所述扭折處的第三長度，所述第三長度從所述扭折向上延伸到第二凸點；以及

與所述第三長度耦接于所述第二凸點的第四長度，所述第四長度從所述第二凸點向下延伸到所述第一鍵合焊墊。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中在所述第一上平面和所述第二上平面上方的所述鍵合絲線的最大高度位于所述第一凸點處并且不大于約55μm。

9.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中在所述第一上表面和所述第二上表面上方的所述鍵合絲線的最大高度位于所述第二凸點處并且不大于約55μm。

10.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中所述第一長度使用球鍵來與所述第二鍵合焊墊耦接。

11.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中所述第四長度使用楔形鍵來與布置于所述第一鍵合焊墊上的球鍵耦接。

12.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中所述第四長度包括耦接于第二扭折的上部和下部，所述上部與所述第三長度耦接于所述第二凸點，并且所述下部與所述第一鍵合焊墊耦接，所述下部比所述上部更垂直地向上遠離所述第一上表面延伸。

13.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中所述鍵合絲線的直徑為大約20μm，并且所述鍵合絲線包括金或銅中的至少一種。