[發明專利]一種含有金屬的半導體裝置及其制備方法有效
| 申請號： | 201210028179.2 | 申請日： | 2012-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN103208514B | 公開（公告）日： | 2017-05-17 |
| 發明（設計）人： | 朱江;盛況 | 申請（專利權）人： | 盛況 |
| 主分類號： | H01L29/12 | 分類號： | H01L29/12;H01L29/15;H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 含有 金屬 半導體 裝置 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種含有金屬的半導體裝置，其特征在于：包括：
半導體材料，為第一導電半導體材料，在其中設置了多個平行金屬層，金屬層由網格結構或多個平行線狀金屬材料構成，金屬層之間半導體材料通過金屬層內空缺互連，金屬材料與半導體材料之間為肖特基勢壘結。
2.如權利要求1所述的一種含有金屬的半導體裝置的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
1)在第一導電半導體材料表面形成金屬層；
2)進行光刻腐蝕，去除部分金屬，形成網格結構或多個平行線狀金屬材料構成的金屬層；
3)進行第一導電半導體材料淀積生長，形成新的半導體材料層；
4)重復進行一次或多次上述工藝過程。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于盛況，未經盛況許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210028179.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：塔式太陽能熱發電廠定日鏡場控制系統
- 下一篇：一種數據交互的方法、設備及系統
- 同類專利
- 專利分類
