[發明專利]一種超結肖特基半導體裝置及其制備方法無效
| 申請號： | 201210028161.2 | 申請日： | 2012-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN103208511A | 公開（公告）日： | 2013-07-17 |
| 發明（設計）人： | 盛況;朱江 | 申請（專利權）人： | 盛況;朱江 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
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| 地址： | 310027 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 超結肖特基 半導體 裝置 及其 制備 方法 | ||
1.一種超結肖特基半導體裝置，其特征在于：包括：
襯底層，為半導體材料構成；
超結結構，位于襯底層之上，為第一導電半導體材料和第二導電半導體材料相互排列構成；
第一類型肖特基勢壘結，位于超結結構的第一導電半導體材料表面；
第二類型肖特基勢壘結，位于超結結構的第二導電半導體材料表面。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的襯底層為高濃度雜質摻雜的半導體材料。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的襯底層可以為高濃度雜質摻雜的半導體材料和低濃度雜質摻雜的半導體材料疊加層。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的超結結構可以為半超結結構，即在傳統超結結構中的漂移層底部增加一個第一導電半導體材料層或第二導電半導體材料層。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的第一類型肖特基勢壘結為勢壘金屬與第一導電半導體材料形成的結。
6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的第二類型肖特基勢壘結為勢壘金屬與第二導電半導體材料形成的結。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的半導體裝置上表面和下表面覆蓋有金屬，金屬并聯第一類肖特基勢壘結和第二類型肖特基勢壘結。
8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的半導體裝置接一定的反向偏壓時，第二導電半導體材料與第一導電半導體材料形成電荷補償，形成超結結構。
9.如權利要求1所述的一種超結肖特基半導體裝置的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
1)在襯底層表面形成第一導電半導體材料和第二導電半導體材料的超結結構；
2)在超結結構表面淀積勢壘金屬，形成肖特基勢壘結。
10.如權利要求1所述的一種超結肖特基半導體裝置的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
1)在襯底層表面形成第一導電半導體材料層；
2)在第一導電半導體材料層表面形成具有第一導電半導體材料和第二導電半導體材料的超結結構；
3)在超結結構表面淀積勢壘金屬，形成肖特基勢壘結。
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