[發(fā)明專利]非易失性存儲器元件及其陣列

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210028146.8
• 申請日: 2012-02-03
• 公開（公告）號: CN103247625A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 侯拓宏;黃俊嘉
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;H01L27/102
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張龍哺;馮志云

1.一種非易失性存儲器元件，包括：

一第一電極；

一電阻結(jié)構(gòu)，配置于該第一電極上，包括：

一第一氧化層，配置于該第一電極上；

一二極管結(jié)構(gòu)，配置于該電阻結(jié)構(gòu)上，包括：

一第一金屬層，配置于該第一氧化層上；以及

一第二氧化層，配置于該第一金屬層上；以及

一第二電極，配置于該二極管結(jié)構(gòu)上，

其中該第一金屬層與該第二電極選用不同材料。

2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器元件，其中該電阻結(jié)構(gòu)更包括：

一第二金屬層，配置于該第一氧化層上，其中該第一金屬層配置于該第二金屬層上。

3.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲器元件，其中該第一金屬層與該第二金屬層選用不同材料。

4.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲器元件，其中該第一金屬層與該第二金屬層選用相同材料。

5.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器元件，其中該第一氧化層作為該非易失性存儲器元件的信息儲存層，其材料選自下列氧化物其中之一：NiO、TiO₂、HfO、HfO₂、ZrO、ZrO₂、Ta₂O₅、ZnO、WO₃、CoO及Nb₂O₅，該第二氧化層的材料選自下列氧化物其中之一：NiO、TiO₂、HfO、HfO₂、ZrO、ZrO₂、Ta₂O₅、ZnO、WO₃、CoO及Nb₂O₅。

6.一種非易失性存儲器陣列，包括：

一存儲器單元陣列，包括多個非易失性存儲器元件，各該非易失性存儲器元件具有一第一端與一第二端，各該非易失性存儲器元件包括一電阻結(jié)構(gòu)以及一二極管結(jié)構(gòu)，兩者以層狀堆棧的方式串聯(lián)耦接在各該非易失性存儲器元件的該第一端與該第二端之間；

多個位線，各該位線作為一第一電極，耦接至對應(yīng)的該些非易失性存儲器元件的該些第一端；以及

多個字線，各該字線作為一第二電極，耦接至對應(yīng)的該些非易失性存儲器元件的該些第二端，其中該些非易失性存儲器元件配置于該些位線與該些字線的交錯處，

其中對各該非易失性存儲器元件而言，該電阻結(jié)構(gòu)包括一第一氧化層，該第一氧化層配置于對應(yīng)的該第一電極上；以及該二極管結(jié)構(gòu)包括一第一金屬層以及一第二氧化層，該第一金屬層配置于該第一氧化層上，該第二氧化層配置于該第一金屬層上，對應(yīng)的該第二電極配置該第二氧化層上，其中該第一金屬層與該第二電極選用不同材料。

7.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器陣列，其中對各該非易失性存儲器元件而言，該電阻結(jié)構(gòu)更包括一第二金屬層，配置于該第一氧化層上，其中該第一金屬層配置于該第二金屬層上。

8.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲器陣列，其中對各該非易失性存儲器元件而言，該第一金屬層與該第二金屬層選用不同材料。

9.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲器陣列，其中對各該非易失性存儲器元件而言，該第一金屬層與該第二金屬層選用相同材料。

10.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器陣列，其中對各該非易失性存儲器元件而言，該第一氧化層作為該非易失性存儲器元件的信息儲存層，其材料選自下列氧化物其中之一：NiO、TiO₂、HfO、HfO₂、ZrO、ZrO₂、Ta₂O₅、ZnO、WO₃、CoO及Nb₂O₅，該第二氧化層的材料選自下列氧化物其中之一：NiO、TiO₂、HfO、HfO₂、ZrO、ZrO₂、Ta₂O₅、ZnO、WO₃、CoO及Nb₂O₅。