[發(fā)明專利]REBCO高溫超導(dǎo)塊體材料的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210027806.0 | 申請日: | 2012-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN102584250A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姚忻;顏士斌;程玲;李天宇 | 申請(專利權(quán))人: | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號: | C04B35/622 | 分類號: | C04B35/622;C04B35/45;C04B35/50 |
| 代理公司: | 上海旭誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31220 | 代理人: | 鄭立 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | rebco 高溫 超導(dǎo) 塊體 材料 制備 方法 | ||
1.REBCO高溫超導(dǎo)塊體材料的制備方法,包括以下工序:
a)原料的配料混合,得到混合料;
b)研磨、煅燒處理,得到超導(dǎo)材料粗坯;
c)壓片,得到前驅(qū)體;
d)灼燒;
e)冷卻,得到所述REBCO高溫超導(dǎo)塊體材料;
其特征在于,所述工序e)冷卻包括以下步驟:
e1)快速降溫至緩沖溫度區(qū)間,保溫;
e2)快速降溫至生長溫度,保溫;
e3)淬火。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟e1)和e2)中所述的快速降溫是以60-150℃/h的速率降溫。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟e1)中所述的緩沖溫度區(qū)間是1055-1085℃,步驟e1)中所述的保溫的時間是10-30分鐘。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟e2)中所述的生長溫度是1015-1055℃,步驟e2)中所述的保溫的時間是40-80h。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟e3)中的淬火是以200-300℃/h的降溫速率將溫度降至室溫。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:工序a)中原料的配料混合是取123相稀土元素、211相稀土元素與銀元素,按照RE123+(10-40)mol%RE211+15wt%Ag的百分比混合均勻。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:所述123相稀土元素是Gd123、Nd123或Sm123;所述211相稀土元素是Gd211、Nd211或Sm211。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述工序b)研磨、煅燒處理是將所述混合料研磨,然后置于890-910℃的環(huán)境下進(jìn)行40-50小時以上的煅燒;煅燒完畢后再次研磨,然后再次置于890-910℃的環(huán)境下進(jìn)行40-50小時以上的煅燒。
9.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述工序c)壓片,是將所述超導(dǎo)材料粗坯壓成圓形餅狀結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述工序d)灼燒是指,在所述前驅(qū)體的頂部加入沉積在MgO基板上的REBCO薄膜籽晶,籽晶尺寸為1-2×1-2mm,然后置于生長爐中,在4-6小時內(nèi)升溫至1095-1115℃并保溫2-3小時。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海交通大學(xué),未經(jīng)上海交通大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210027806.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種圓形截面NbTi/YBCO復(fù)合超導(dǎo)線
- 基于ReBCO涂層超導(dǎo)體和NbTi低溫超導(dǎo)體的圓截面復(fù)合超導(dǎo)線
- 用于磁共振超導(dǎo)磁體的超導(dǎo)接頭及其制造方法
- 超導(dǎo)磁懸浮支承裝置
- 一種超導(dǎo)儲能裝置及其控制方法
- 超導(dǎo)磁體超導(dǎo)接頭結(jié)構(gòu)及相關(guān)布置結(jié)構(gòu)
- 超導(dǎo)接頭、超導(dǎo)磁體系統(tǒng)及超導(dǎo)接頭制備方法
- 一種極高場核磁共振超導(dǎo)磁體
- 一種超導(dǎo)限流線圈和一種超導(dǎo)限流器
- 一種超導(dǎo)直流電纜建模方法及系統(tǒng)





