[發明專利]光電轉換裝置和圖像感測系統有效
| 申請號: | 201210027705.3 | 申請日: | 2012-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN102637704A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發明(設計)人: | 小林昌弘;栗原政樹;市川武史;關根康弘;篠原真人;加藤太朗;門間玄三 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 高青 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電 轉換 裝置 圖像 系統 | ||
1.一種光電轉換裝置,包含:
多個光電轉換部分;
絕緣膜;
多個高折射率構件,分別配備在各自光電轉換部分上以便被所述絕緣膜包圍,并具有比所述絕緣膜的折射率大的折射率;
高折射率膜,配備在所述絕緣膜上以相互連接所述多個高折射率構件,并具有比所述絕緣膜的折射率大的折射率;
多個第一透鏡部分,安排成與各自光電轉換部分相對應;以及
多個第二透鏡部分,安排成在所述第一透鏡部分和所述高折射率構件之間與各自光電轉換部分相對應,
其中,下述中的至少之一彼此毗接:
(1)所述多個第一透鏡部分當中彼此相鄰的第一透鏡部分,以及
(2)所述多個第二透鏡部分當中彼此相鄰的第二透鏡部分。
2.按照權利要求1所述的光電轉換裝置,進一步包含安排在所述多個第一透鏡部分和所述多個第二透鏡部分之間的波長選擇層,所述波長選擇層具有與具有彼此不同值的波長相對應并被安排成與各自光電轉換部分相對應的多種類型的波長選擇構件,其中,
彼此相鄰的第一透鏡部分彼此毗接,以及彼此相鄰的第二透鏡部分彼此隔開。
3.按照權利要求1所述的光電轉換裝置,其中,所述多個第一透鏡部分當中彼此相鄰并被安排成使其光軸彼此相隔預定距離的第一透鏡部分彼此毗接,以及所述多個第一透鏡部分當中彼此相鄰并被安排成使其光軸彼此相隔大于所述預定距離的距離的第一透鏡部分彼此毗接。
4.按照權利要求1所述的光電轉換裝置,進一步包含折射率小于所述第二透鏡部分的折射率的低折射率膜,所述低折射率膜被安排在所述第二透鏡部分和所述高折射率構件之間以相對于所述第二透鏡部分形成界面。
5.按照權利要求4所述的光電轉換裝置,其中,所述低折射率膜包括:
第一低折射率層,相對于所述第二透鏡部分形成界面并具有比所述第二透鏡部分的折射率小的折射率;以及
第二低折射率層,安排在所述第一低折射率層和所述高折射率膜之間,相對于所述第一低折射率層形成界面,并具有比所述第一低折射率層的折射率小的折射率。
6.按照權利要求5所述的光電轉換裝置,其中,所述低折射率膜包括:
第三低折射率層,安排在所述第二低折射率層和所述高折射率膜之間,相對于所述高折射率膜形成界面,并具有在所述第二低折射率層的折射率和所述高折射率膜的折射率之間的折射率。
7.按照權利要求6所述的光電轉換裝置,其中,所述第二透鏡部分的折射率高于所述高折射率膜的折射率,以及所述第一低折射率層的折射率大于所述第三低折射率層的折射率。
8.按照權利要求1所述的光電轉換裝置,其中,所述多個第一透鏡部分的每一個包括第一透鏡體、和沿著所述第一透鏡體的彎曲表面配備并具有比所述第一透鏡體的折射率小的折射率的第一涂層。
9.按照權利要求1所述的光電轉換裝置,其中,所述多個第二透鏡部分的每一個包括第二透鏡體、和沿著所述第二透鏡體的彎曲表面配備并具有比所述第二透鏡體的折射率小的折射率的第二涂層。
10.按照權利要求1所述的光電轉換裝置,其中,滿足如下條件(a)和(b)中的至少一個:
(a)所述多個第一透鏡部分的每一個包括由樹脂形成的第一透鏡體、和沿著所述第一透鏡體的彎曲表面配備并包括氧化硅的第一涂層;以及
(b)所述多個第一透鏡部分的每一個包括由氮化硅形成的第二透鏡體、和沿著所述第二透鏡體的彎曲表面配備并包括氧氮化硅的第二涂層。
11.按照權利要求10所述的光電轉換裝置,進一步包含折射率小于所述高折射率膜的折射率的低折射率膜,所述低折射率膜被配備在集光透鏡部分和所述高折射率膜之間以相對于所述高折射率膜形成界面。
12.按照權利要求11所述的光電轉換裝置,其中,
所述低折射率膜包括:
第一低折射率層;
第二低折射率層,安排在所述第一低折射率層和所述高折射率膜之間,相對于所述第一低折射率層形成界面,并具有比所述第一低折射率層的折射率小的折射率;以及
第三低折射率層,安排在所述第二低折射率層和所述高折射率膜之間,相對于所述高折射率膜形成界面,并具有在所述第二低折射率層的折射率和所述高折射率膜的折射率之間的折射率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
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