[發明專利]光刻版以及該光刻版的曝光方法有效
| 申請號： | 201210027664.8 | 申請日： | 2012-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN103246155A | 公開（公告）日： | 2013-08-14 |
| 發明（設計）人： | 黃瑋 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/42 | 分類號： | G03F1/42;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 顧珊;汪洋 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 以及 曝光 方法 | ||
1.一種光刻版，其特征在于，所述光刻版包括主管芯區、附加管芯區以及兩者之間的禁止區域，所述主管芯區內包括以矩陣式排列的多個主管芯，所述附加管芯區內包括以矩陣式排列的多個附加管芯和至少一個對位標記，所述附加管芯和所述對位標記與所述主管芯對齊。
2.根據權利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述附加管芯區內僅包括設置成一排的所述附加管芯和所述對位標記。
3.根據權利要求2所述的光刻版，其特征在于，所述對位標記的數量為一個。
4.根據權利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述禁止區域的寬度為1500-4000μm。
5.根據權利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述主管芯區和所述附加管芯區內的劃片槽的寬度為40-50μm。
6.一種如權利要求1所述的光刻版的曝光方法，其特征在于，包括：
a)將半導體晶片劃分為用于曝光所述主管芯區的第一區域和用于曝光所述主管芯區和所述附加管芯區的第二區域，所述第二區域在所述半導體晶片上均勻地分布；
b)第一區域曝光步驟，其中，在所述第一區域曝光所述主管芯區，以在所述第一區域內形成所述主管芯；以及第二區域曝光步驟，其中，在所述第二區域曝光所述主管芯區和所述附加管芯區，以在所述第二區域形成所述主管芯、所述附加管芯和所述對位標記。
7.根據權利要求6所述的曝光方法，其特征在于，步驟b)中，所述第二區域曝光步驟包括分別對所述主管芯區和所述附加管芯區進行曝光，以使所述第二區域內的所述主管芯區和所述附加管芯區接合。
8.根據權利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述第二區域位于距所述半導體晶片的中心為其半徑的二分之一到五分之二的位置處。
9.根據權利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述第二區域位于距所述半導體晶片的中心為其半徑的三分之二的位置處。
10.根據權利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述半導體晶片上包含8-10個所述第二區域。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫華潤上華科技有限公司，未經無錫華潤上華科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210027664.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
