[發明專利]IGBT模塊封裝設備、系統及方法無效
| 申請號: | 201210027604.6 | 申請日: | 2012-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN103247540A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發明(設計)人: | 李先亮 | 申請(專利權)人: | 西安永電電氣有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;B29C45/14 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 710016 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | igbt 模塊 封裝 設備 系統 方法 | ||
1.一種IGBT模塊封裝設備,其特征在于,包括:
第一活塞,具有第一活塞桿和第一缸體,所述第一缸體上開設有第一進料口和第一出料口,所述第一缸體用于容置基料;
第二活塞,具有第二活塞桿和第二缸體,所述第二缸體上開設有第二進料口和第二出料口,所述第二缸體用于容置催化劑;
壓塊,與所述第一活塞桿和第二活塞桿固定,以在所述壓塊的帶動下,使所述第一活塞桿和第二活塞桿同時上升或下降;
混膠管,具有相互貫通的入口和出口,所述入口與所述第一出料口和第二出料口連通,所述出口用于輸出液態硅凝膠復合物,其中,液態硅凝膠復合物為混合好的基料和催化劑。
2.根據權利要求1所述的IGBT模塊封裝設備,其特征在于,
所述混膠管內部為螺旋狀,且沿著從所述入口到出口的方向,螺旋越來越密集。
3.根據權利要求1所述的IGBT模塊封裝設備,其特征在于,還包括:
第一料筒,與所述第一進料口連通,用于向所述第一缸體中輸入所述基料;
第二料筒,與所述第二進料口連通,用于向所述第二缸體中輸入所述催化劑。
4.根據權利要求3所述的IGBT模塊封裝設備,其特征在于,
第一料筒和第二料筒內能容置物料的體積比為1∶1.3。
5.一種IGBT模塊封裝系統,其特征在于:
包括真空腔室,所述真空腔室內設置有載物臺以及權利要求1-4任一所述的IGBT模塊封裝設備,所述載物臺用于承載待封裝的IGBT模塊,所述IGBT模塊封裝設備用于向所述IGBT模塊的空腔中注入液態硅凝膠復合物。
6.一種IGBT模塊封裝方法,其特征在于,包括:
在真空環境中,使用權利要求1-4任一所述的IGBT模塊封裝設備向IGBT模塊的空腔中注入液態硅凝膠復合物,其中,液態硅凝膠復合物為混合好的基料和催化劑;
在IGBT模塊的空腔中填滿所述液態硅凝膠復合物后,將IGBT模塊在真空環境中保持設定的時間。
7.根據權利要求6所述的IGBT模塊封裝方法,其特征在于,所述在真空環境中,向IGBT模塊的空腔中注入液態硅凝膠復合物包括:
將IGBT模塊放置在真空環境中;
以多次灌封的方式經由灌封口向IGBT模塊灌入液態硅凝膠復合物,其中,每兩次灌封之間的時間間隔為30秒-60秒。
8.根據權利要求7所述的IGBT模塊封裝方法,其特征在于,
所述灌封口的數量為多個,每次灌封時,依次從各灌封口中灌入所述液態硅凝膠復合物。
9.根據權利要求7所述的IGBT模塊封裝方法,其特征在于,
所述真空環境的真空度為5mbar-100mbar,溫度為15℃-30℃。
10.根據權利要求6所述的IGBT模塊封裝方法,其特征在于,所述設定的時間為15分鐘-25分鐘。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





