[發(fā)明專利]一種雙溝槽MOS半導(dǎo)體裝置及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210027520.2 | 申請(qǐng)日： | 2012-02-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103247677A | 公開（公告）日： | 2013-08-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉福香 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 劉福香 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 113200 遼*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 溝槽 mos 半導(dǎo)體 裝置 及其 制備 方法 | ||
1.一種雙溝槽MOS半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：
襯底層，為半導(dǎo)體材料構(gòu)成；
漂移層，位于襯底層之上，為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料；多個(gè)
第一類型溝槽，位于漂移層中，第一類型溝槽內(nèi)壁設(shè)置有
第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，其中第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層為第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料構(gòu)成，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層形成的溝槽內(nèi)設(shè)置有
第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，其中第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料構(gòu)成；多個(gè)
第二類型溝槽，第二類型溝槽與第一類型溝槽不平行且相互交叉，第二類型溝槽內(nèi)壁設(shè)置有
絕緣層，為絕緣材料構(gòu)成，絕緣層形成的溝槽內(nèi)設(shè)置有多晶硅或金屬。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的漂移層、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層和多晶硅表面可以設(shè)置有絕緣材料。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的第一類型溝槽之間的漂移層中可以設(shè)置有高濃度雜質(zhì)摻雜區(qū)，高濃度雜質(zhì)摻雜區(qū)為高濃度雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的高濃度雜質(zhì)摻雜區(qū)可以與襯底層相連。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的高濃度雜質(zhì)摻雜區(qū)可以通過(guò)器件表面引出漏極電極，可以在芯片表面通過(guò)金屬布線實(shí)現(xiàn)多個(gè)MOS器件的電極間互聯(lián)。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的高濃度雜質(zhì)摻雜區(qū)與第一類型溝槽距離小于或等于第一類型溝槽與襯底層的距離。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層為MOS結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)，與其相連的電極可以從其形成的溝槽底部引出，也可以從其形成的溝槽底部引出。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層可以形成溝槽，也可以完全填充第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層所形成溝槽。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的第二類型溝槽與第一類型溝槽相互垂直。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的第二類型溝槽深度大于第一類型溝槽深度。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的襯底層和漂移層之間可以部分區(qū)域設(shè)置絕緣材料進(jìn)行隔離。
12.如權(quán)利要求1所述的一種雙溝槽MOS半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
1)在襯底層表面形成一種絕緣介質(zhì)材料；
2)進(jìn)行光刻腐蝕工藝，半導(dǎo)體材料表面去除部分絕緣介質(zhì)材料，然后刻蝕，去除部分裸露半導(dǎo)體材料形成溝槽；
3)在溝槽內(nèi)壁形成漂移層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層；
4)去除第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層形成的溝槽底部第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，在溝槽內(nèi)形成高濃度雜質(zhì)摻雜的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，進(jìn)行表面平整化，在表面形成一種絕緣介質(zhì)材料；
5)進(jìn)行光刻腐蝕工藝，半導(dǎo)體材料表面去除部分絕緣介質(zhì)材料，然后刻蝕，去除部分裸露半導(dǎo)體材料形成第二類型溝槽；在溝槽內(nèi)壁形成絕緣層在絕緣層內(nèi)形成多晶硅材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
